Транзістары - FET, MOSFET - RF

BLF7G22LS-130,112

частка акцыі: 6030

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 28A,

BLF7G22LS-130,118

частка акцыі: 6087

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 28A,

BLA0912-250R,112

частка акцыі: 6053

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz ~ 1.22GHz, Прыбытак: 13dB, Напружанне - тэст: 36V,

BLF6G10-45,112

частка акцыі: 6039

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 922.5MHz ~ 957.5MHz, Прыбытак: 22.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 13A,

BLF6G10-45,135

частка акцыі: 6104

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 922.5MHz ~ 957.5MHz, Прыбытак: 22.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 13A,

BLF6G27-45,112

частка акцыі: 6085

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.7GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 20A,

BLF177CR,112

частка акцыі: 6034

Тып транзістара: N-Channel, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 16A,

BLF2043,112

частка акцыі: 4648

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2GHz, Прыбытак: 12.5dB, Напружанне - тэст: 26V, Бягучы рэйтынг: 2.2A,

BLF521,112

частка акцыі: 6060

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 500MHz, Прыбытак: 13dB, Напружанне - тэст: 12.5V, Бягучы рэйтынг: 1A,

BLF7G22L-200,118

частка акцыі: 6097

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

BF1201WR,115

частка акцыі: 6036

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 29dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF1201WR,135

частка акцыі: 4697

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 29dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF904,235

частка акцыі: 6105

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 200MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF904,215

частка акцыі: 6117

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 200MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF908,215

частка акцыі: 6061

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 200MHz, Напружанне - тэст: 8V, Бягучы рэйтынг: 40mA, Фігура шуму: 0.6dB,

BF996S,215

частка акцыі: 120377

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 200MHz, Прыбытак: 25dB, Напружанне - тэст: 15V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF998WR,115

частка акцыі: 6048

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 200MHz, Напружанне - тэст: 8V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 0.6dB,

BF1101R,215

частка акцыі: 6035

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.7dB,

BF1101,215

частка акцыі: 6055

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.7dB,

BF1109R,215

частка акцыі: 6104

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 9V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.5dB,

BF1205,115

частка акцыі: 6076

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Прыбытак: 26dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.2dB,

BF1205,135

частка акцыі: 5501

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Прыбытак: 35dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.2dB,

BF1102,115

частка акцыі: 6103

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 40mA, Фігура шуму: 2dB,

BF1101WR,115

частка акцыі: 6107

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.7dB,

BF1105,215

частка акцыі: 6099

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.7dB,

BF1201,215

частка акцыі: 6041

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 29dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF1201R,215

частка акцыі: 6079

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 29dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF1215,115

частка акцыі: 6082

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 30dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.5dB,

BF1216,115

частка акцыі: 6022

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 30dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF1218,115

частка акцыі: 6081

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 32dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 0.9dB,

BF904WR,115

частка акцыі: 4642

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 200MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1dB,

BF909R,215

частка акцыі: 6082

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 800MHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 40mA, Фігура шуму: 2dB,

BF1206,115

частка акцыі: 6072

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 30dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.3dB,

BF1208,115

частка акцыі: 6089

Тып транзістара: N-Channel Dual Gate, Частата: 400MHz, Прыбытак: 32dB, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 30mA, Фігура шуму: 1.3dB,

BF556C,215

частка акцыі: 6094

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 18mA,

BLF8G22LS-310AVJ

частка акцыі: 6070