Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

Microsemi Corporation

APT39M60J

частка акцыі: 2775

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 42A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 28A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT37M100L

частка акцыі: 3166

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 37A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 18A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT66F60B2

частка акцыі: 3242

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 70A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 33A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT20M11JVR

частка акцыі: 1386

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 175A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT100M50J

частка акцыі: 1694

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 103A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 75A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT28M120B2

частка акцыі: 2988

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 29A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 14A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT5024BLLG

частка акцыі: 8192

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 11A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT14M100B

частка акцыі: 8971

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 7A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT56M60B2

частка акцыі: 4676

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30M60J

частка акцыі: 3123

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 31A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 21A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT56M50B2

частка акцыі: 5563

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 56A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT48M80L

частка акцыі: 3324

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 800V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 49A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 24A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT43M60B2

частка акцыі: 5860

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 45A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 21A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30M19JVR

частка акцыі: 1297

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 300V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 130A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT80M60J

частка акцыі: 1417

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 84A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 60A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT66M60B2

частка акцыі: 3886

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 70A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 33A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT14M120B

частка акцыі: 5563

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 7A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT56M50L

частка акцыі: 5493

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 56A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT7M120S

частка акцыі: 9512

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 3A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT24M120L

частка акцыі: 3355

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 12A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT56M60L

частка акцыі: 4735

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT66M60L

частка акцыі: 3956

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 70A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 33A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30F50B

частка акцыі: 10349

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 14A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30M19JVFR

частка акцыі: 1191

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 300V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 130A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT84M50L

частка акцыі: 3479

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 84A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT50M65LFLLG

частка акцыі: 2892

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 67A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT14F100B

частка акцыі: 8584

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 7A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT34F100L

частка акцыі: 3500

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 18A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT28M120L

частка акцыі: 3013

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 29A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 14A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT34F100B2

частка акцыі: 3511

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 18A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT20M22LVFRG

частка акцыі: 3601

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT24F50B

частка акцыі: 10342

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 11A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30F50S

частка акцыі: 10614

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 14A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT9F100B

частка акцыі: 11983

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 5A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT75F50B2

частка акцыі: 4605

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 75A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT56F60L

частка акцыі: 4448

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 28A, 10V,

Пажаданні

3600

«
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
»