Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

AS4PJHM3/87A

частка акцыі: 1562

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/86A

частка акцыі: 1550

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/87A

частка акцыі: 1549

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/86A

частка акцыі: 5590

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/87A

частка акцыі: 1533

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/86A

частка акцыі: 1514

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/87A

частка акцыі: 1551

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/87A

частка акцыі: 1516

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/86A

частка акцыі: 1523

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/86A

частка акцыі: 1557

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/87A

частка акцыі: 1579

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/87A

частка акцыі: 1491

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/86A

частка акцыі: 1574

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/86A

частка акцыі: 1534

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/87A

частка акцыі: 1551

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/86A

частка акцыі: 1589

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/87A

частка акцыі: 1584

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/86A

частка акцыі: 1577

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/87A

частка акцыі: 1522

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/86A

частка акцыі: 1556

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/87A

частка акцыі: 1503

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/86A

частка акцыі: 1498

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/86A

частка акцыі: 1495

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/87A

частка акцыі: 1521

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/86A

частка акцыі: 1530

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/87A

частка акцыі: 1564

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/86A

частка акцыі: 1498

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/87A

частка акцыі: 1583

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/87A

частка акцыі: 1539

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/86A

частка акцыі: 1529

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/87A

частка акцыі: 1556

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/86A

частка акцыі: 1542

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/87A

частка акцыі: 1229

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.3A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/86A

частка акцыі: 1215

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/87A

частка акцыі: 1252

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/87A

частка акцыі: 5198

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў