Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
AS4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/86A

частка акцыі: 186584

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AR4PM-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/86A

частка акцыі: 187999

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AS4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/I

частка акцыі: 135245

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AS4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/87A

частка акцыі: 127822

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AR3PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/I

частка акцыі: 174356

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/H

частка акцыі: 177979

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AR3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/86A

частка акцыі: 109158

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AU3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/86A

частка акцыі: 184562

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.7A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AS3PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/H

частка акцыі: 177979

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AS3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/I

частка акцыі: 186864

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AS4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/87A

частка акцыі: 148380

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AS4PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/H

частка акцыі: 128798

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AR4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/87A

частка акцыі: 155636

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS3PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/I

частка акцыі: 186827

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AU3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/H

частка акцыі: 121577

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.7A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AU2PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJ-M3/87A

частка акцыі: 122155

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AS3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/87A

частка акцыі: 128015

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AU2PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/H

частка акцыі: 166052

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AS3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/87A

частка акцыі: 159290

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AU3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/H

частка акцыі: 121580

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.7A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AR3PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/86A

частка акцыі: 165935

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AU2PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/87A

частка акцыі: 182163

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AU2PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/I

частка акцыі: 174379

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AS4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/I

частка акцыі: 135168

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AU3PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/86A

частка акцыі: 184511

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.7A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AS3PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/I

частка акцыі: 186833

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AR4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/I

частка акцыі: 128841

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AS4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3_A/I

частка акцыі: 135251

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AU3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/H

частка акцыі: 121540

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.7A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AS3PM-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/86A

частка акцыі: 102068

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AR4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/86A

частка акцыі: 187986

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AR4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/H

частка акцыі: 122741

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AR3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/H

частка акцыі: 166073

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR4PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/H

частка акцыі: 122789

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/87A

частка акцыі: 142597

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AU2PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/86A

частка акцыі: 147505

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў