Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
AS1PMHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PMHM3/84A

частка акцыі: 130871

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AS1PK-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PK-M3/84A

частка акцыі: 160463

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PDHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PDHM3/84A

частка акцыі: 173415

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR1PJHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PJHM3/85A

частка акцыі: 165680

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR1PJHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PJHM3/84A

частка акцыі: 179650

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS1PJ-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PJ-M3/85A

частка акцыі: 178057

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PK-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PK-M3/84A

частка акцыі: 118387

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AR1PDHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PDHM3/85A

частка акцыі: 117693

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS1PM-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PM-M3/85A

частка акцыі: 104817

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AS1PGHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PGHM3/85A

частка акцыі: 161647

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AS1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PG-M3/85A

частка акцыі: 158491

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PK-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PK-M3/85A

частка акцыі: 166127

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AS1PJHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PJHM3/84A

частка акцыі: 141434

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AS1PMHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PMHM3/85A

частка акцыі: 146010

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PMHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PMHM3/84A

частка акцыі: 198788

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AR1PGHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PGHM3/85A

частка акцыі: 176541

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PD-M3/85A

частка акцыі: 146048

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AU3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/I

частка акцыі: 127616

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.7A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AU2PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/87A

частка акцыі: 165269

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
AR4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/87A

частка акцыі: 197402

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AS4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PJHM3_A/I

частка акцыі: 135205

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AS3PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/H

частка акцыі: 177960

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AS4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PJ-M3/87A

частка акцыі: 163634

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 962mV @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AS4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/I

частка акцыі: 135158

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AS3PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PK-M3/86A

частка акцыі: 171421

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AS3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/86A

частка акцыі: 111920

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AR4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/86A

частка акцыі: 178864

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR3PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/87A

частка акцыі: 147236

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AR3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3_A/I

частка акцыі: 174392

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS3PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PK-M3/87A

частка акцыі: 170922

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AS4PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PJHM3_A/H

частка акцыі: 128776

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
AR3PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/I

частка акцыі: 174403

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AS3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/H

частка акцыі: 177918

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў
AR3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PD-M3/87A

частка акцыі: 195288

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3_A/H

частка акцыі: 166104

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PG-M3/87A

частка акцыі: 122027

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.2µs,

Ліст з жаданняў