Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

частка акцыі: 112

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.17V @ 80A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

частка акцыі: 133

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.17V @ 80A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

частка акцыі: 126

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 480ns,

Ліст з жаданняў
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

частка акцыі: 66

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 480ns,

Ліст з жаданняў
80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

частка акцыі: 72

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 190ns,

Ліст з жаданняў
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

частка акцыі: 115

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 190ns,

Ліст з жаданняў
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

частка акцыі: 115

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 190ns,

Ліст з жаданняў
8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

частка акцыі: 68

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 270ns,

Ліст з жаданняў
8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

частка акцыі: 20

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 270ns,

Ліст з жаданняў
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

частка акцыі: 10015

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

частка акцыі: 9992

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

частка акцыі: 10041

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

частка акцыі: 5059

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

частка акцыі: 10060

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

частка акцыі: 10034

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
8EWF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRL

частка акцыі: 10052

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
8EWF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02S

частка акцыі: 10049

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
8EWF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04S

частка акцыі: 9990

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
85EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

85EPF04

частка акцыі: 10073

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 190ns,

Ліст з жаданняў
95HQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

95HQ015

частка акцыі: 9931

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 95A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 95A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
AS1PK-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PK-M3/85A

частка акцыі: 118702

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AS1PJHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PJHM3/85A

частка акцыі: 157782

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PKHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PKHM3/85A

частка акцыі: 110954

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AS1PG-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PG-M3/84A

частка акцыі: 115320

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AS1PKHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PKHM3/85A

частка акцыі: 183191

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PG-M3/85A

частка акцыі: 143525

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AS1PGHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PGHM3/84A

частка акцыі: 192739

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PKHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PKHM3/84A

частка акцыі: 137027

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AS1PKHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PKHM3/84A

частка акцыі: 186197

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AS1PDHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PDHM3/85A

частка акцыі: 198666

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
AR1PGHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PGHM3/84A

частка акцыі: 164199

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR1PMHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PMHM3/85A

частка акцыі: 131724

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AR1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PD-M3/85A

частка акцыі: 106984

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў
AR1PM-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PM-M3/85A

частка акцыі: 130479

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
AR1PJ-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PJ-M3/85A

частка акцыі: 147970

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў