Фіксаваныя індуктыўнасці

MLP2520S4R7MT0S1

MLP2520S4R7MT0S1

частка акцыі: 186191

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

VLS201610HBX-6R8M-1

VLS201610HBX-6R8M-1

частка акцыі: 169373

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 880mA, Ток - насычэнне: 700mA,

MLP2520V1R5MT0S1

MLP2520V1R5MT0S1

частка акцыі: 149595

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A,

MLP2520S100ST0S1

MLP2520S100ST0S1

частка акцыі: 172700

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

NLFV32T-102K-EF

NLFV32T-102K-EF

частка акцыі: 135773

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 20mA,

MHQ0603P3N5ST000

MHQ0603P3N5ST000

частка акцыі: 143634

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.5nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MHQ0603P5N1ST000

MHQ0603P5N1ST000

частка акцыі: 184939

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 350mA,

MHQ0603P3N1ST000

MHQ0603P3N1ST000

частка акцыі: 129067

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

VLS2012ET-R68N

VLS2012ET-R68N

частка акцыі: 110627

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 1.7A,

VLS252010ET-100M

VLS252010ET-100M

частка акцыі: 172657

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 550mA, Ток - насычэнне: 560mA,

MHQ0603P4N3ST000

MHQ0603P4N3ST000

частка акцыі: 117712

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

VLS201610HBX-2R2M-1

VLS201610HBX-2R2M-1

частка акцыі: 105598

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.45A, Ток - насычэнне: 1.7A,

VLS252010HBX-100M-1

VLS252010HBX-100M-1

частка акцыі: 193829

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 950mA, Ток - насычэнне: 680mA,

MHQ0603P0N7CT000

MHQ0603P0N7CT000

частка акцыі: 151280

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

MHQ0603P3N3ST000

MHQ0603P3N3ST000

частка акцыі: 115282

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

VLS252012ET-1R0N

VLS252012ET-1R0N

частка акцыі: 186229

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 2.2A,

MLP2520WR68MT0S1

MLP2520WR68MT0S1

частка акцыі: 173391

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.8A,

MLZ2012N150LT000

MLZ2012N150LT000

частка акцыі: 158942

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 350mA, Ток - насычэнне: 90mA,

VLS252010HBX-4R7M-1

VLS252010HBX-4R7M-1

частка акцыі: 187950

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.09A, Ток - насычэнне: 1.6A,

VLS201610HBX-3R3M-1

VLS201610HBX-3R3M-1

частка акцыі: 127814

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.02A,

MLP2520S100MT0S1

MLP2520S100MT0S1

частка акцыі: 135424

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

MHQ0603P2N9ST000

MHQ0603P2N9ST000

частка акцыі: 153522

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

VLS3012ET-4R7M

VLS3012ET-4R7M

частка акцыі: 150772

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 950mA, Ток - насычэнне: 950mA,

NLFV32T-3R3M-EF

NLFV32T-3R3M-EF

частка акцыі: 187113

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 420mA,

MLP2520K1R0ST0S1

MLP2520K1R0ST0S1

частка акцыі: 175180

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A,

NLFV32T-150K-EFT

NLFV32T-150K-EFT

частка акцыі: 177647

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

NLFV32T-331K-EFT

NLFV32T-331K-EFT

частка акцыі: 184812

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 35mA,

MLP2520V3R3MT

MLP2520V3R3MT

частка акцыі: 133021

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA,

VLS201612HBX-R47M-1

VLS201612HBX-R47M-1

частка акцыі: 177938

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.2A, Ток - насычэнне: 3.78A,

MLP2012HR54MT

MLP2012HR54MT

частка акцыі: 103992

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 540nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

MLG0402Q1N7BT000

MLG0402Q1N7BT000

частка акцыі: 186225

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLD2016S4R7MTD25

MLD2016S4R7MTD25

частка акцыі: 179360

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

MLG0402P22NHT000

MLG0402P22NHT000

частка акцыі: 193280

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLG0402Q1N8BT000

MLG0402Q1N8BT000

частка акцыі: 123039

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLG0402Q0N5BT000

MLG0402Q0N5BT000

частка акцыі: 168148

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 350mA,

MLP2012SR47MT0S1

MLP2012SR47MT0S1

частка акцыі: 178214

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,