Фіксаваныя індуктыўнасці

NLFV32T-681K-EFT

NLFV32T-681K-EFT

частка акцыі: 111827

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 25mA,

MLP2520K1R0ST

MLP2520K1R0ST

частка акцыі: 116611

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A,

VLS2012ET-1R5N

VLS2012ET-1R5N

частка акцыі: 145496

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.2A,

NLFV32T-1R0M-EFT

NLFV32T-1R0M-EFT

частка акцыі: 167591

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

VLS252010HBX-1R0M-1

VLS252010HBX-1R0M-1

частка акцыі: 129351

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.55A, Ток - насычэнне: 3.22A,

VLS252010HBX-2R2M-1

VLS252010HBX-2R2M-1

частка акцыі: 144181

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.76A, Ток - насычэнне: 2.3A,

MHQ0603P6N2ST000

MHQ0603P6N2ST000

частка акцыі: 191111

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

VLS3012CX-220M-1

VLS3012CX-220M-1

частка акцыі: 8650

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 780mA, Ток - насычэнне: 560mA,

MLP2520W3R3MT0S1

MLP2520W3R3MT0S1

частка акцыі: 104331

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

MHQ0603P16NJT000

MHQ0603P16NJT000

частка акцыі: 143318

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 16nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

VLS201610HBX-R47M-1

VLS201610HBX-R47M-1

частка акцыі: 165494

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.81A, Ток - насычэнне: 3.5A,

MHQ0603P1N8ST000

MHQ0603P1N8ST000

частка акцыі: 153194

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

MLP2520S2R2MT0S1

MLP2520S2R2MT0S1

частка акцыі: 165666

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

NLFV32T-100K-EF

NLFV32T-100K-EF

частка акцыі: 111929

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

MHQ0603P1N3ST000

MHQ0603P1N3ST000

частка акцыі: 128815

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

NLFV32T-3R3M-EFT

NLFV32T-3R3M-EFT

частка акцыі: 134157

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 420mA,

MHQ0603P1N4ST000

MHQ0603P1N4ST000

частка акцыі: 133800

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

MLP2520K1R0MT

MLP2520K1R0MT

частка акцыі: 151478

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A,

NLFV32T-330K-EF

NLFV32T-330K-EF

частка акцыі: 158809

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 95mA,

VLS201610HBX-R33M-1

VLS201610HBX-R33M-1

частка акцыі: 134630

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.85A, Ток - насычэнне: 4.42A,

MLP2520K1R0MT0S1

MLP2520K1R0MT0S1

частка акцыі: 135638

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A,

MLP2520S3R3MT0S1

MLP2520S3R3MT0S1

частка акцыі: 126413

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

MLP2520V2R2ST0S1

MLP2520V2R2ST0S1

частка акцыі: 101933

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

VLS2012ET-100M

VLS2012ET-100M

частка акцыі: 130905

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 470mA, Ток - насычэнне: 470mA,

NLFV32T-101K-EF

NLFV32T-101K-EF

частка акцыі: 199704

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 55mA,

VLS201610HBX-4R7M-1

VLS201610HBX-4R7M-1

частка акцыі: 147564

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A, Ток - насычэнне: 810mA,

MLP2520V2R2MT0S1

MLP2520V2R2MT0S1

частка акцыі: 148641

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

MHQ0603P3N2ST000

MHQ0603P3N2ST000

частка акцыі: 127250

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

MLP2520V1R0MT0S1

MLP2520V1R0MT0S1

частка акцыі: 174010

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

MHQ0603P2N4ST000

MHQ0603P2N4ST000

частка акцыі: 174262

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

MLP2520H4R7ST

MLP2520H4R7ST

частка акцыі: 141538

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

NLFV32T-220K-EFT

NLFV32T-220K-EFT

частка акцыі: 105847

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

VLS2012ET-4R7M

VLS2012ET-4R7M

частка акцыі: 181777

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 700mA,

NLFV32T-151K-EF

NLFV32T-151K-EF

частка акцыі: 128133

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 50mA,

MHQ0603P5N6ST000

MHQ0603P5N6ST000

частка акцыі: 119489

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 350mA,

NLFV32T-331K-EF

NLFV32T-331K-EF

частка акцыі: 167436

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 35mA,