Фіксаваныя індуктыўнасці

MLP2520HR47MT0S1

MLP2520HR47MT0S1

частка акцыі: 111081

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.1A,

MLP2520W1R0MT0S1

MLP2520W1R0MT0S1

частка акцыі: 153533

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A,

NLFV32T-6R8M-EFT

NLFV32T-6R8M-EFT

частка акцыі: 181459

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 260mA,

VLS252012HBX-2R2M-1

VLS252012HBX-2R2M-1

частка акцыі: 111186

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A, Ток - насычэнне: 2.04A,

NLFV32T-4R7M-EF

NLFV32T-4R7M-EF

частка акцыі: 111878

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 360mA,

NLFV32T-220K-EF

NLFV32T-220K-EF

частка акцыі: 130894

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

MHQ0603P2N7ST000

MHQ0603P2N7ST000

частка акцыі: 186381

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MHQ0603P4N7ST000

MHQ0603P4N7ST000

частка акцыі: 178536

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 350mA,

MLP2520H3R3MT

MLP2520H3R3MT

частка акцыі: 148026

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

NLFV32T-101K-EFT

NLFV32T-101K-EFT

частка акцыі: 185831

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 55mA,

NLFV32T-471K-EF

NLFV32T-471K-EF

частка акцыі: 184249

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 30mA,

VLS2010ET-3R3M

VLS2010ET-3R3M

частка акцыі: 164722

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 830mA, Ток - насычэнне: 830mA,

MHQ0603P2N5ST000

MHQ0603P2N5ST000

частка акцыі: 126369

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.5nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

NLFV32T-681K-EF

NLFV32T-681K-EF

частка акцыі: 188023

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 25mA,

MHQ0603P1N9ST000

MHQ0603P1N9ST000

частка акцыі: 193662

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

MHQ0603P33NJT000

MHQ0603P33NJT000

частка акцыі: 111538

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 33nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 160mA,

VLS3012ET-2R2M

VLS3012ET-2R2M

частка акцыі: 132865

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.35A, Ток - насычэнне: 1.35A,

VLS201610HBX-R24M-1

VLS201610HBX-R24M-1

частка акцыі: 153406

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.7A, Ток - насычэнне: 4.82A,

VLS201612CX-6R8M-1

VLS201612CX-6R8M-1

частка акцыі: 86

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 930mA, Ток - насычэнне: 730mA,

MLP2520H1R0MT

MLP2520H1R0MT

частка акцыі: 164913

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

MHQ0603P3N6ST000

MHQ0603P3N6ST000

частка акцыі: 149624

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MHQ0603P3N9ST000

MHQ0603P3N9ST000

частка акцыі: 179748

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 400mA,

VLS201610CX-2R2M-1

VLS201610CX-2R2M-1

частка акцыі: 13211

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.53A, Ток - насычэнне: 1.31A,

MHQ0603P1N2ST000

MHQ0603P1N2ST000

частка акцыі: 121867

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

MHQ0603P3N7ST000

MHQ0603P3N7ST000

частка акцыі: 146918

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

MLP2520H2R2ST0S1

MLP2520H2R2ST0S1

частка акцыі: 128223

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

MLP2520S1R0ST0S1

MLP2520S1R0ST0S1

частка акцыі: 155695

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

MLP2520S2R2ST0S1

MLP2520S2R2ST0S1

частка акцыі: 184832

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

MHQ0603P27NJT000

MHQ0603P27NJT000

частка акцыі: 119912

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 160mA,

MHQ0603P11NJT000

MHQ0603P11NJT000

частка акцыі: 174040

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 11nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 240mA,

NLFV32T-102K-EFT

NLFV32T-102K-EFT

частка акцыі: 142088

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 20mA,

NLFV32T-1R5M-EF

NLFV32T-1R5M-EF

частка акцыі: 103776

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

VLS252010HBX-R33M-1

VLS252010HBX-R33M-1

частка акцыі: 155981

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.74A, Ток - насычэнне: 5.03A,

MLP2520S3R3ST0S1

MLP2520S3R3ST0S1

частка акцыі: 148680

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

MLP2520H4R7MT0S1

MLP2520H4R7MT0S1

частка акцыі: 116713

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

MLP2520W2R2MT0S1

MLP2520W2R2MT0S1

частка акцыі: 120266

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,