Фіксаваныя індуктыўнасці

NLFV32T-150K-EF

NLFV32T-150K-EF

частка акцыі: 172175

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

MLP2520V4R7MT

MLP2520V4R7MT

частка акцыі: 103081

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

VLS252012ET-1R5N

VLS252012ET-1R5N

частка акцыі: 187378

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.45A, Ток - насычэнне: 1.8A,

MHQ0603P8N2JT000

MHQ0603P8N2JT000

частка акцыі: 171086

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

VLS252012HBX-R68M-1

VLS252012HBX-R68M-1

частка акцыі: 107259

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.7A, Ток - насычэнне: 3.23A,

MLP2520H4R7ST0S1

MLP2520H4R7ST0S1

частка акцыі: 109594

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

VLS2012ET-2R2M

VLS2012ET-2R2M

частка акцыі: 186722

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1A,

VLS2010ET-220M

VLS2010ET-220M

частка акцыі: 119551

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 330mA, Ток - насычэнне: 330mA,

VLS252012HBX-R33M-1

VLS252012HBX-R33M-1

частка акцыі: 144552

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.25A, Ток - насычэнне: 4.04A,

VLS252012HBX-100M-1

VLS252012HBX-100M-1

частка акцыі: 103117

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 850mA,

MLP2520S1R0MT0S1

MLP2520S1R0MT0S1

частка акцыі: 157214

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

VLS252008ET-6R8M

VLS252008ET-6R8M

частка акцыі: 134065

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 490mA,

NLFV32T-470K-EFT

NLFV32T-470K-EFT

частка акцыі: 120188

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 90mA,

NLFV32T-221K-EF

NLFV32T-221K-EF

частка акцыі: 150799

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 40mA,

VLS252010HBX-6R8M-1

VLS252010HBX-6R8M-1

частка акцыі: 140414

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A, Ток - насычэнне: 750mA,

VLS201610CX-R68M-1

VLS201610CX-R68M-1

частка акцыі: 8621

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.19A, Ток - насычэнне: 2.52A,

MHQ0603P6N8JT000

MHQ0603P6N8JT000

частка акцыі: 159267

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MHQ0603P13NJT000

MHQ0603P13NJT000

частка акцыі: 162134

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 13nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

NLFV32T-2R2M-EF

NLFV32T-2R2M-EF

частка акцыі: 111778

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

VLS3010ET-3R3M

VLS3010ET-3R3M

частка акцыі: 168297

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1A,

VLS201610HBX-1R0M-1

VLS201610HBX-1R0M-1

частка акцыі: 191835

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.13A, Ток - насычэнне: 2.5A,

MLP2520H1R0ST

MLP2520H1R0ST

частка акцыі: 100988

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

MLP2520W4R7MT0S1

MLP2520W4R7MT0S1

частка акцыі: 135455

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

MHQ0603P2N3ST000

MHQ0603P2N3ST000

частка акцыі: 113122

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

VLS2010ET-1R0N

VLS2010ET-1R0N

частка акцыі: 174377

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.45A, Ток - насычэнне: 1.45A,

MHQ0603P3N4ST000

MHQ0603P3N4ST000

частка акцыі: 189185

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MLP2520V4R7ST0S1

MLP2520V4R7ST0S1

частка акцыі: 128673

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

VLS2012ET-220M

VLS2012ET-220M

частка акцыі: 108745

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 330mA, Ток - насычэнне: 330mA,

MHQ0603P2N8ST000

MHQ0603P2N8ST000

частка акцыі: 182407

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

VLS252012HBX-1R0M-1

VLS252012HBX-1R0M-1

частка акцыі: 151635

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.4A, Ток - насычэнне: 3A,

VLS252010ET-1R5N

VLS252010ET-1R5N

частка акцыі: 115201

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.45A, Ток - насычэнне: 1.45A,

VLS2012ET-1R0N

VLS2012ET-1R0N

частка акцыі: 192791

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.45A, Ток - насычэнне: 1.45A,

VLS252010ET-3R3M

VLS252010ET-3R3M

частка акцыі: 108981

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 940mA, Ток - насычэнне: 940mA,

MHQ0603P9N1JT000

MHQ0603P9N1JT000

частка акцыі: 199339

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 9.1nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

VLS2010ET-4R7M

VLS2010ET-4R7M

частка акцыі: 186948

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 700mA,

NLFV32T-330K-EFT

NLFV32T-330K-EFT

частка акцыі: 146901

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 95mA,