Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
STT13005
STMicroelectronics

STT13005

частка акцыі: 138198

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў
STD1805T4
STMicroelectronics

STD1805T4

частка акцыі: 6132

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
TIP50
STMicroelectronics

TIP50

частка акцыі: 120088

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Ліст з жаданняў
STBV42G-AP
STMicroelectronics

STBV42G-AP

частка акцыі: 6367

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Ліст з жаданняў
STSA851-AP
STMicroelectronics

STSA851-AP

частка акцыі: 6417

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
STE07DE220
STMicroelectronics

STE07DE220

частка акцыі: 3307

Тып транзістара: NPN - Emitter Switched Bipolar, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2200V,

Ліст з жаданняў
STF724
STMicroelectronics

STF724

частка акцыі: 5928

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
MJ802
STMicroelectronics

MJ802

частка акцыі: 5858

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 90V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V,

Ліст з жаданняў
ESM2012DV
STMicroelectronics

ESM2012DV

частка акцыі: 5885

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V,

Ліст з жаданняў
STBV68
STMicroelectronics

STBV68

частка акцыі: 5871

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 100mA, 250mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3 @ 250mA, 10V,

Ліст з жаданняў
STX112
STMicroelectronics

STX112

частка акцыі: 5894

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
ESM3045DV
STMicroelectronics

ESM3045DV

частка акцыі: 5856

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1.2A, 20A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 20A, 5V,

Ліст з жаданняў
SGSD200
STMicroelectronics

SGSD200

частка акцыі: 5922

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V,

Ліст з жаданняў
TIP32C
STMicroelectronics

TIP32C

частка акцыі: 130766

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
ST2408HI
STMicroelectronics

ST2408HI

частка акцыі: 5917

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 8A, 5V,

Ліст з жаданняў
STBV42
STMicroelectronics

STBV42

частка акцыі: 5932

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ESM3030DV
STMicroelectronics

ESM3030DV

частка акцыі: 2502

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 85A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V,

Ліст з жаданняў
ST1802FX
STMicroelectronics

ST1802FX

частка акцыі: 5871

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V,

Ліст з жаданняў
STBV45
STMicroelectronics

STBV45

частка акцыі: 5895

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 750mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5 @ 400mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ESM4045DV
STMicroelectronics

ESM4045DV

частка акцыі: 5882

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2A, 35A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 220 @ 35A, 5V,

Ліст з жаданняў
TIP135
STMicroelectronics

TIP135

частка акцыі: 5926

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Ліст з жаданняў
STX13003
STMicroelectronics

STX13003

частка акцыі: 5886

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ESM5045DV
STMicroelectronics

ESM5045DV

частка акцыі: 5857

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2.8A, 50A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 50A, 5V,

Ліст з жаданняў
ESM2030DV
STMicroelectronics

ESM2030DV

частка акцыі: 5903

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 67A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 56A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 56A, 5V,

Ліст з жаданняў
MJ4035
STMicroelectronics

MJ4035

частка акцыі: 5925

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 16A, Ток - адсек калектара (макс.): 3mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V,

Ліст з жаданняў
MJD32C
STMicroelectronics

MJD32C

частка акцыі: 5913

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
MJD31C
STMicroelectronics

MJD31C

частка акцыі: 5925

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
ST2310DHI
STMicroelectronics

ST2310DHI

частка акцыі: 5872

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.75A, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5.5 @ 7A, 5V,

Ліст з жаданняў
ST8812FP
STMicroelectronics

ST8812FP

частка акцыі: 5928

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

Ліст з жаданняў
SGSD100
STMicroelectronics

SGSD100

частка акцыі: 5901

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V,

Ліст з жаданняў
STPSA42-AP
STMicroelectronics

STPSA42-AP

частка акцыі: 5858

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў
TIP122FP
STMicroelectronics

TIP122FP

частка акцыі: 6597

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Ліст з жаданняў
ST1802FH
STMicroelectronics

ST1802FH

частка акцыі: 5944

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V,

Ліст з жаданняў
ST2001FX
STMicroelectronics

ST2001FX

частка акцыі: 6658

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V,

Ліст з жаданняў
STX715
STMicroelectronics

STX715

частка акцыі: 5901

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ESM6045AV
STMicroelectronics

ESM6045AV

частка акцыі: 5865

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 72A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 2.4A, 60A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 60A, 5V,

Ліст з жаданняў