Транзістары - IGBT - модулі

Дом
Транзістары - IGBT - модулі

STMicroelectronics

A1P35S12M3

частка акцыі: 99

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A2C35S12M3

частка акцыі: 105

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A2C25S12M3

частка акцыі: 36

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A1P25S12M3

частка акцыі: 116

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A1C15S12M3-F

частка акцыі: 143

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Магутнасць - Макс: 142.8W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A2C25S12M3-F

частка акцыі: 92

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A2C35S12M3-F

частка акцыі: 132

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A1P25S12M3-F

частка акцыі: 182

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 197W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A1P35S12M3-F

частка акцыі: 164

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

частка акцыі: 373

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 454.5W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A2P75S12M3

частка акцыі: 372

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 454.5W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A2C50S65M2

частка акцыі: 320

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A1C15S12M3

частка акцыі: 349

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Магутнасць - Макс: 142.8W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

A1P50S65M2

частка акцыі: 394

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STGE200N60K

частка акцыі: 608

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STGE50NC60WD

частка акцыі: 3066

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 260W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STG3P2M10N60B

частка акцыі: 345

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 19A, Магутнасць - Макс: 56W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STGE200NB60S

частка акцыі: 2624

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 600W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STGE50NB60HD

частка акцыі: 427

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STGE50NC60VD

частка акцыі: 3052

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Магутнасць - Макс: 260W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў

20