Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 15

STX13004-AP

частка акцыі: 6620

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX690A

частка акцыі: 6555

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

TIP147

частка акцыі: 9541

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STBV42D

частка акцыі: 6638

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX1F10

частка акцыі: 6579

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX0560

частка акцыі: 6648

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX790A

частка акцыі: 6639

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STD826T4

частка акцыі: 6710

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

TIP132

частка акцыі: 57260

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX13005G-AP

частка акцыі: 6587

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

HD1760JL

частка акцыі: 6590

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 36A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 4.5A, 18A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5 @ 18A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

TR236

частка акцыі: 6568

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 600mA, 2.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX13005G

частка акцыі: 6615

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

S2000AF

частка акцыі: 6573

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 700V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 4.5 @ 4.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX112-AP

частка акцыі: 6679

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STT13005FP

частка акцыі: 76351

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STL106D

частка акцыі: 6569

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 230V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX13004

частка акцыі: 6565

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STW3040

частка акцыі: 6557

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 4A, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 18 @ 6A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX13004G

частка акцыі: 6582

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ST13003DN

частка акцыі: 6667

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

MJE340

частка акцыі: 111045

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

D44H11FP

частка акцыі: 6615

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

MD1803DFX

частка акцыі: 6596

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 700V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ST5027

частка акцыі: 6624

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STL128DNFP

частка акцыі: 6706

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

HD1520FX

частка акцыі: 6586

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 700V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.8A, 9A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5.5 @ 9A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

D44H11

частка акцыі: 51373

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STT13005-K

частка акцыі: 5748

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

HD1530FX

частка акцыі: 6651

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 26A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 700V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 3.25A, 13A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5.5 @ 13A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STH13009

частка акцыі: 6574

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 18 @ 5A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STX13003G

частка акцыі: 6583

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ST13003D-K

частка акцыі: 98997

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STD790AT4

частка акцыі: 6619

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

MD2009DFP

частка акцыі: 6661

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 700V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

MJB44H11T4

частка акцыі: 6624

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Ліст з жаданняў