Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

Дом
Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

STMicroelectronics

BD140

частка акцыі: 114422

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUY69A

частка акцыі: 6654

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.3V @ 2.5A, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 2.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUX48A

частка акцыі: 5907

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUX98A

частка акцыі: 5852

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 24A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUX48

частка акцыі: 6586

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUX348

частка акцыі: 5908

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 6A, 30A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUX10

частка акцыі: 5909

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 125V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 2A, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 1.5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUW48

частка акцыі: 5850

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 4A, 40A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUV98AV

частка акцыі: 5924

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 24A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 9 @ 24A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUV298V

частка акцыі: 5854

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 12 @ 32A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUV298AV

частка акцыі: 6597

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 12 @ 32A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUV26

частка акцыі: 5896

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 90V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUV27

частка акцыі: 5922

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 8A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUV20

частка акцыі: 5907

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 125V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5A, 50A, Ток - адсек калектара (макс.): 3mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 25A, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUT90

частка акцыі: 5922

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 125V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 7A, 70A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL903ED

частка акцыі: 5922

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 3V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BULT118

частка акцыі: 5882

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL810

частка акцыі: 5898

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL804

частка акцыі: 5942

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 2.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL213

частка акцыі: 5924

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 3V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL310

частка акцыі: 5933

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 2.5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL1403ED

частка акцыі: 6601

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 400mA, 3V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL138FP

частка акцыі: 5906

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1A, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUF410A

частка акцыі: 5858

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2A, 10A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BUL128

частка акцыі: 5846

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BU941P

частка акцыі: 5910

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BU941ZP

частка акцыі: 5883

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BU931

частка акцыі: 5913

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BU810

частка акцыі: 5852

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 700mA, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BSS44

частка акцыі: 5857

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BU508AFI

частка акцыі: 5858

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 700V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BF420-AP

частка акцыі: 5885

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BD537

частка акцыі: 5852

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BD536

частка акцыі: 63754

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BD535

частка акцыі: 63756

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

BD534

частка акцыі: 5922

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў

530

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»