Транзістары - FET, MOSFET - RF

MRF8S18260HR5

частка акцыі: 6389

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.81GHz, Прыбытак: 17.9dB, Напружанне - тэст: 30V,

MRFX1K80GNR5

частка акцыі: 144

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.8MHz ~ 470MHz, Прыбытак: 24dB, Напружанне - тэст: 65V,

MRF8S7235NR3

частка акцыі: 948

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 728MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF7S15100HSR3

частка акцыі: 1164

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.51GHz, Прыбытак: 19.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8S18210WGHSR5

частка акцыі: 6438

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 1.93GHz, Прыбытак: 17.8dB, Напружанне - тэст: 30V,

MRF8P23080HR5

частка акцыі: 6400

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.3GHz, Прыбытак: 14.6dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8S9200NR3

частка акцыі: 1090

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 940MHz, Прыбытак: 19.9dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6VP61K25HR6

частка акцыі: 435

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 24dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF1014NT1

частка акцыі: 10748

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.96GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V,

ON5173,118

частка акцыі: 5492

MMRF1008HSR5

частка акцыі: 363

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 20.3dB, Напружанне - тэст: 50V,

ON5224,118

частка акцыі: 6330

MRF8S9220HR3

частка акцыі: 6424

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 19.4dB, Напружанне - тэст: 28V,

ON5233,118

частка акцыі: 6420

ON5223,118

частка акцыі: 6336

MRFX1K80HR5

частка акцыі: 383

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.8MHz ~ 470MHz, Прыбытак: 24dB, Напружанне - тэст: 65V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

MMRF1318NR1

частка акцыі: 1305

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 450MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 50V,

ON5239,135

частка акцыі: 4697

MW6S010GNR1

частка акцыі: 6611

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8S9100HSR5

частка акцыі: 4714

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 920MHz, Прыбытак: 19.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF2005NR1

частка акцыі: 2243

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 940MHz, Прыбытак: 35.9dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1016HR5

частка акцыі: 518

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 225MHz, Прыбытак: 25dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6VP3091NR5

частка акцыі: 1412

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 860MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8P20140WHSR3

частка акцыі: 1061

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8S21100HR5

частка акцыі: 6423

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 18.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8P23080HR3

частка акцыі: 6405

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.3GHz, Прыбытак: 14.6dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6VP61K25NR6

частка акцыі: 504

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 23dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRFE6VP5150NR1

частка акцыі: 2790

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 26.1dB, Напружанне - тэст: 50V,

ON5448,518

частка акцыі: 6348

MRF8S26060HSR3

частка акцыі: 6324

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.69GHz, Прыбытак: 16.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF7S21210HSR5

частка акцыі: 4655

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1304LR5

частка акцыі: 1532

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 512MHz, Прыбытак: 25.9dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8P9300HR6

частка акцыі: 6371

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 960MHz, Прыбытак: 19.4dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6S9125NR1

частка акцыі: 2149

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 880MHz, Прыбытак: 20.2dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF24301HR5

частка акцыі: 200

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Прыбытак: 13.5dB,

MRFE6VP100HSR5

частка акцыі: 1126

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 512MHz, Прыбытак: 26dB, Напружанне - тэст: 50V,