Транзістары - FET, MOSFET - RF

MRF1K50NR5

частка акцыі: 470

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.8MHz ~ 500MHz, Прыбытак: 23dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF1513NT1

частка акцыі: 15584

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 520MHz, Прыбытак: 15dB, Напружанне - тэст: 12.5V, Бягучы рэйтынг: 2A,

ON5214,118

частка акцыі: 6356

MMRF1015NR1

частка акцыі: 7105

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6VP11KHR5

частка акцыі: 398

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 130MHz, Прыбытак: 26dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8HP21130HSR5

частка акцыі: 6439

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 14dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8HP21080HR3

частка акцыі: 1838

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 14.4dB, Напружанне - тэст: 28V,

ON5451,518

частка акцыі: 6415

MRF8VP13350NR5

частка акцыі: 214

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 700MHz ~ 1.3GHz, Прыбытак: 19.2dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

ON4970,115

частка акцыі: 6360

MRFE6VP61K25GNR6

частка акцыі: 549

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 23dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF7S38010HR3

частка акцыі: 6390

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Прыбытак: 15dB, Напружанне - тэст: 30V,

MRF7S19100NR1

частка акцыі: 6341

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Прыбытак: 17.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFG35003M6T1

частка акцыі: 6343

Тып транзістара: pHEMT FET, Частата: 3.55GHz, Прыбытак: 9dB, Напружанне - тэст: 6V,

MRF6S19100MR1

частка акцыі: 6313

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.99GHz, Прыбытак: 14.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF7S18125AHSR5

частка акцыі: 4686

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.88GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8P20140WHR5

частка акцыі: 6206

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6VP41KHSR6

частка акцыі: 6312

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 450MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6V2300NBR1

частка акцыі: 1206

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 220MHz, Прыбытак: 25.5dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRFG35005NR5

частка акцыі: 6355

Тып транзістара: pHEMT FET, Частата: 3.55GHz, Прыбытак: 11dB, Напружанне - тэст: 12V,

MRF9135LR5

частка акцыі: 6311

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 880MHz, Прыбытак: 17.8dB, Напружанне - тэст: 26V,

MRF7S38075HSR3

частка акцыі: 6336

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Прыбытак: 14dB, Напружанне - тэст: 30V,

MRF5S9100MR1

частка акцыі: 6300

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 880MHz, Прыбытак: 19.5dB, Напружанне - тэст: 26V,

MRF6S9130HR3

частка акцыі: 6295

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 880MHz, Прыбытак: 19.2dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6S21060MBR1

частка акцыі: 6255

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.12GHz, Прыбытак: 15.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6VP121KHR6

частка акцыі: 6366

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF7S21110HR5

частка акцыі: 6303

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 17.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6S9125NBR1

частка акцыі: 6257

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 880MHz, Прыбытак: 20.2dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8S18120HSR3

частка акцыі: 1586

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.81GHz, Прыбытак: 18.2dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6S23140HR3

частка акцыі: 6040

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.39GHz, Прыбытак: 15.2dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6S27085HSR5

частка акцыі: 4634

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.66GHz, Прыбытак: 15.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF9080LR3

частка акцыі: 6090

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 26V,

MRF6V2010NBR1

частка акцыі: 6256

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 220MHz, Прыбытак: 23.9dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF9210R3

частка акцыі: 6334

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 880MHz, Прыбытак: 16.5dB, Напружанне - тэст: 26V,

MRF7S21150HSR3

частка акцыі: 938

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 17.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6S23140HSR5

частка акцыі: 6331

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.39GHz, Прыбытак: 15.2dB, Напружанне - тэст: 28V,