Транзістары - FET, MOSFET - RF

MRFE6VP61K25HR5

частка акцыі: 418

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 24dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S23120HR3

частка акцыі: 6400

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.3GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8S18260HR6

частка акцыі: 6347

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.81GHz, Прыбытак: 17.9dB, Напружанне - тэст: 30V,

MRF8P8300HSR5

частка акцыі: 6440

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 820MHz, Прыбытак: 20.9dB, Напружанне - тэст: 28V,

PRF13750HR9

частка акцыі: 297

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 700MHz ~ 1.3GHz, Прыбытак: 20.6dB, Бягучы рэйтынг: 10µA,

MMRF1316NR1

частка акцыі: 1580

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 27dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S19140HSR5

частка акцыі: 6416

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.96GHz, Прыбытак: 19.1dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8HP21080HSR3

частка акцыі: 1689

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 14.4dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8HP21130HSR3

частка акцыі: 6380

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 14dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6VP6600GNR3

частка акцыі: 1017

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 24.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRFX1K80NR5

частка акцыі: 148

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.8MHz ~ 470MHz, Прыбытак: 24dB, Напружанне - тэст: 65V,

MMRF2007GNR1

частка акцыі: 117

MMRF1008GHR5

частка акцыі: 164

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 900MHz ~ 1.215GHz, Прыбытак: 20.3dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 100µA,

MMRF1312GSR5

частка акцыі: 223

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 19.6dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF2010NR1

частка акцыі: 393

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.09GHz, Прыбытак: 32.1dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

MRFE6VP61K25HSR5

частка акцыі: 438

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 24dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S19140HSR3

частка акцыі: 6347

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.96GHz, Прыбытак: 19.1dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6VP5300GNR1

частка акцыі: 1558

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 27dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6V13250HR5

частка акцыі: 396

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.3GHz, Прыбытак: 22.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8P20100HR3

частка акцыі: 6387

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.03GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8P23160WHR3

частка акцыі: 6442

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 2.32GHz, Прыбытак: 14.1dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8P26080HSR5

частка акцыі: 6382

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.62GHz, Прыбытак: 15dB, Напружанне - тэст: 28V,

ON5250,135

частка акцыі: 6353

MRFE6VP5300NR1

частка акцыі: 1567

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 27dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF1535FNT1

частка акцыі: 4889

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 520MHz, Прыбытак: 13.5dB, Напружанне - тэст: 12.5V, Бягучы рэйтынг: 6A,

MRF8HP21080HR5

частка акцыі: 4686

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 14.4dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6S9045NR1

частка акцыі: 4372

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 880MHz, Прыбытак: 22.1dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1009HSR5

частка акцыі: 230

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 19.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8P20161HSR3

частка акцыі: 968

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.92GHz, Прыбытак: 16.4dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1310HSR5

частка акцыі: 1023

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 26.5dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRFE6VP6600NR3

частка акцыі: 1004

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 24.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF5300NR5

частка акцыі: 6461

Тып транзістара: HEMT, Частата: 2.7GHz ~ 3.5GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF1308HR5

частка акцыі: 567

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 25dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S18210WGHSR3

частка акцыі: 959

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 1.93GHz, Прыбытак: 17.8dB, Напружанне - тэст: 30V,

ON5213,118

частка акцыі: 6345

MRF8S7120NR3

частка акцыі: 6357

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 768MHz, Прыбытак: 19.2dB, Напружанне - тэст: 28V,