Транзістары - FET, MOSFET - RF

MRF8S21140HR5

частка акцыі: 6433

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 17.9dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1004GNR1

частка акцыі: 5113

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 15.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1024HSR5

частка акцыі: 737

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.5GHz, Прыбытак: 14.1dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8P20100HSR5

частка акцыі: 4692

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.03GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1310HR5

частка акцыі: 1080

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 26.5dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S21140HSR5

частка акцыі: 6352

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 17.9dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1304NR1

частка акцыі: 3808

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 512MHz, Прыбытак: 25.4dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF1305HSR5

частка акцыі: 1146

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 512MHz, Прыбытак: 26dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6V12250HR5

частка акцыі: 344

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 20.3dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6VP3450HR5

частка акцыі: 564

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 860MHz, Прыбытак: 22.5dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF1013HSR5

частка акцыі: 332

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.9GHz, Прыбытак: 13.3dB, Напружанне - тэст: 30V,

MMRF1306HSR5

частка акцыі: 355

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 24dB, Напружанне - тэст: 50V,

MW6S010NR1

частка акцыі: 6613

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1314HR5

частка акцыі: 193

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.4GHz, Прыбытак: 17.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S21140HSR3

частка акцыі: 5470

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 17.9dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE8VP8600HSR5

частка акцыі: 195

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 860MHz, Прыбытак: 21dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 20µA,

MMRF1020-04NR3

частка акцыі: 452

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 920MHz, Прыбытак: 19.5dB, Напружанне - тэст: 48V,

MRF8S9202GNR3

частка акцыі: 934

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 920MHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1008HR5

частка акцыі: 423

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 20.3dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S21100HR3

частка акцыі: 6402

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 18.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8P9300HSR6

частка акцыі: 702

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 960MHz, Прыбытак: 19.4dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6VP5150GNR1

частка акцыі: 2747

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 26.1dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF1006HSR5

частка акцыі: 234

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 450MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8P23080HSR3

частка акцыі: 1387

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.3GHz, Прыбытак: 14.6dB, Напружанне - тэст: 28V,

ON5154,127

частка акцыі: 6375

MRF6V12500HSR5

частка акцыі: 235

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 19.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6VP3091NBR1

частка акцыі: 1555

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 860MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8P20160HSR5

частка акцыі: 6412

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.92GHz, Прыбытак: 16.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8S9260HR5

частка акцыі: 6361

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18.6dB, Напружанне - тэст: 28V,

ON5520,215

частка акцыі: 6405

MMRF1005HSR5

частка акцыі: 431

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.3GHz, Прыбытак: 22.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S26060HR5

частка акцыі: 6392

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.69GHz, Прыбытак: 16.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF8P9210NR3

частка акцыі: 1074

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 960MHz, Прыбытак: 16.8dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRFE6VP5600HSR6

частка акцыі: 6410

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 25dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRFE6S9046GNR1

частка акцыі: 3362

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1018NR1

частка акцыі: 1550

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 860MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 50V,