Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

AFS1500-1FG676I

частка акцыі: 132

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 252, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQG100M

частка акцыі: 176

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-1VQG100M

частка акцыі: 147

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FGG484I

частка акцыі: 217

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 317, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FG484I

частка акцыі: 148

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 317, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FG484

частка акцыі: 192

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 341, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FGG484A

частка акцыі: 144

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 370, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FGG484

частка акцыі: 163

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 341, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FG484A

частка акцыі: 188

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 370, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-2PQG208

частка акцыі: 140

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 176, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2BGG729

частка акцыі: 219

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FGG676I

частка акцыі: 221

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 418, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FG676I

частка акцыі: 130

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 418, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2BG729

частка акцыі: 192

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX09-1TQG176M

частка акцыі: 155

Колькасць уводу-вываду: 104, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-1PQG100M

частка акцыі: 133

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FG484I

частка акцыі: 204

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 370, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FGG484I

частка акцыі: 165

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 370, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-PQG208M

частка акцыі: 168

Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2FG484

частка акцыі: 147

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 317, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-TQG176M

частка акцыі: 146

Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2FGG484

частка акцыі: 130

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 317, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-1PLG84M

частка акцыі: 225

Колькасць уводу-вываду: 72, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FGG256A

частка акцыі: 181

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 186, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FG256A

частка акцыі: 218

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 186, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-FG676I

частка акцыі: 214

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 252, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-FGG676I

частка акцыі: 188

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 252, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-2FGG484I

частка акцыі: 217

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 223, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-2FG484I

частка акцыі: 157

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 223, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2FGG676

частка акцыі: 204

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 418, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-FGG256I

частка акцыі: 166

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 119, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2FG676

частка акцыі: 223

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 418, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-BG456I

частка акцыі: 175

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 356, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-BGG456I

частка акцыі: 188

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 356, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-2FG256I

частка акцыі: 140

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 119, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-2FGG256I

частка акцыі: 155

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 119, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў