Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A42MX36-3PQG208I

частка акцыі: 125

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 176, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FG256M

частка акцыі: 185

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 186, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2FG484I

частка акцыі: 113

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 317, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2FGG676I

частка акцыі: 162

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 418, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-PQG208M

частка акцыі: 165

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 158, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FGG256M

частка акцыі: 191

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 203, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FG256M

частка акцыі: 174

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 203, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FGG484I

частка акцыі: 167

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 341, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-1BGG272I

частка акцыі: 156

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-1BG272I

частка акцыі: 186

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FG484I

частка акцыі: 161

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 341, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16P-PQG208M

частка акцыі: 117

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 175, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-PQG208M

частка акцыі: 154

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 174, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FGG484I

частка акцыі: 139

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 341, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-1TQG176M

частка акцыі: 193

Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-2BG272

частка акцыі: 159

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-2BGG272

частка акцыі: 183

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-PQG208M

частка акцыі: 158

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 115, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-3PQG208

частка акцыі: 209

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 176, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-1PQG208M

частка акцыі: 119

Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-2PQG208I

частка акцыі: 170

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 176, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-2FG676I

частка акцыі: 153

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 252, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-1PQG160M

частка акцыі: 147

Колькасць уводу-вываду: 125, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-2FGG676I

частка акцыі: 123

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 252, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQG144M

частка акцыі: 161

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FG676I

частка акцыі: 163

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 454, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-FGG676I

частка акцыі: 153

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 454, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16P-VQG100M

частка акцыі: 213

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1BGG729I

частка акцыі: 119

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1BG729I

частка акцыі: 135

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V5-FGG484I

частка акцыі: 145

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 341, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-1BG272

частка акцыі: 144

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-1BGG272

частка акцыі: 193

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-PQG208A

частка акцыі: 201

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 176, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-1PQG208I

частка акцыі: 134

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 176, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS1500-1FGG676I

частка акцыі: 163

Усяго біт аператыўнай памяці: 276480, Колькасць уводу-вываду: 252, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў