Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,
Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,
Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,
Колькасць LAB / CLB: 564, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 4000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,
Колькасць LAB / CLB: 564, Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 4000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V,
Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 180, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,
Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,
Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,
Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,
Колькасць уводу-вываду: 101, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,
Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,
Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,
Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 14000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,
Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 176, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,
Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,
Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,
Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,
Колькасць LAB / CLB: 2016, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 138, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,
Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 249, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,
Колькасць уводу-вываду: 57, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,
Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 174, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,
Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 165, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,
Колькасць LAB / CLB: 2016, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 168, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,
