Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A54SX32A-FGG484M

частка акцыі: 802

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 249, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-VQG100I

частка акцыі: 5553

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-CQ352M

частка акцыі: 7688

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 248, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-FG896I

частка акцыі: 7677

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FGG896

частка акцыі: 7654

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FG484M

частка акцыі: 7718

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 249, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1PQ208M

частка акцыі: 162

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 174, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQ176M

частка акцыі: 7659

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 147, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQ144M

частка акцыі: 262

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FGG256M

частка акцыі: 7644

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 180, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-1PL44M

частка акцыі: 293

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1TQ144M

частка акцыі: 202

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 113, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA1000-PQ208M

частка акцыі: 97

Усяго біт аператыўнай памяці: 202752, Колькасць уводу-вываду: 158, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FGG896I

частка акцыі: 789

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1FG144M

частка акцыі: 7628

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-FG256T

частка акцыі: 7612

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 178, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1425A-PQG160C

частка акцыі: 7565

Колькасць LAB / CLB: 310, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 2500, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE600L-FG484M

частка акцыі: 7561

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 270, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-FG144T

частка акцыі: 7581

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V2-FGG256T

частка акцыі: 7613

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V2-FGG144T

частка акцыі: 7599

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-2PQG208I

частка акцыі: 7573

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 115, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL030V2-QNG132T

частка акцыі: 7562

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 768, Колькасць уводу-вываду: 81, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V2-FG256T

частка акцыі: 7499

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 177, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08-PQ208I

частка акцыі: 7495

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 130, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V2-FG144T

частка акцыі: 7558

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS600-1PQG208I

частка акцыі: 762

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 95, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08-1PQ208I

частка акцыі: 7517

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 130, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS600-1PQ208I

частка акцыі: 7385

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 95, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX24-PQ160I

частка акцыі: 321

Колькасць уводу-вываду: 125, Колькасць брамы: 36000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32-2PQ208

частка акцыі: 249

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 174, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-2PQ208I

частка акцыі: 7386

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 115, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX24-PQ160

частка акцыі: 338

Колькасць уводу-вываду: 125, Колькасць брамы: 36000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX500-1PQ208

частка акцыі: 478

Колькасць LAB / CLB: 8064, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 115, Колькасць брамы: 500000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX24-1PQ160

частка акцыі: 297

Колькасць уводу-вываду: 125, Колькасць брамы: 36000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA150-BGG456I

частка акцыі: 7293

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 242, Колькасць брамы: 150000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў