Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A1010B-PL44I

частка акцыі: 8549

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-2BG329I

частка акцыі: 8485

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 249, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-PLG44C

частка акцыі: 8466

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-PLG44I

частка акцыі: 8455

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1020B-1PL44C

частка акцыі: 8465

Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-2PL44I

частка акцыі: 8435

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-3PL44I

частка акцыі: 726

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1020B-1PL44I

частка акцыі: 8313

Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FG896

частка акцыі: 8290

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V5-FGG896

частка акцыі: 833

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V5-FG896

частка акцыі: 900

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-2PLG44C

частка акцыі: 8269

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FGG896I

частка акцыі: 8290

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FGG896I

частка акцыі: 8184

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FG896I

частка акцыі: 8209

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-PL44M

частка акцыі: 325

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1020B-PL44C

частка акцыі: 8187

Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FG896I

частка акцыі: 8178

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-2PL44C

частка акцыі: 8129

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-1FG896

частка акцыі: 8153

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FG896

частка акцыі: 8107

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-FGG896

частка акцыі: 8060

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-1PL44I

частка акцыі: 8026

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1020B-2PL44I

частка акцыі: 8049

Колькасць LAB / CLB: 547, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 2000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-BG329I

частка акцыі: 8012

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 249, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX1000-2FGG896I

частка акцыі: 7978

Колькасць LAB / CLB: 18144, Усяго біт аператыўнай памяці: 165888, Колькасць уводу-вываду: 516, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-1PL44C

частка акцыі: 7955

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-1PLG44C

частка акцыі: 7957

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FG896I

частка акцыі: 7926

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75264, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FG896

частка акцыі: 7919

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FGG896I

частка акцыі: 7920

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1010B-PL44C

частка акцыі: 7874

Колькасць LAB / CLB: 295, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 1200, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FGG896

частка акцыі: 7821

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX04-PL44M

частка акцыі: 373

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 6000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A40MX02-1PL44M

частка акцыі: 372

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 3000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FGG896

частка акцыі: 7751

Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 620, Колькасць брамы: 3000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў