Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 21

MBR8045

частка акцыі: 4200

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

частка акцыі: 2354

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

частка акцыі: 7100

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

частка акцыі: 2289

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

частка акцыі: 2377

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

частка акцыі: 5676

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

частка акцыі: 6031

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

частка акцыі: 7147

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

частка акцыі: 6017

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

частка акцыі: 2356

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

частка акцыі: 2350

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 110ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

частка акцыі: 2334

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

частка акцыі: 2296

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

частка акцыі: 2318

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

частка акцыі: 5231

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 300A,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

частка акцыі: 2307

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

частка акцыі: 2242

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

частка акцыі: 2232

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

частка акцыі: 311

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 8000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 4.6V @ 50mA, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

частка акцыі: 2319

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

частка акцыі: 2265

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

частка акцыі: 2239

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

частка акцыі: 2328

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

частка акцыі: 2310

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

частка акцыі: 2284

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

частка акцыі: 2270

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

частка акцыі: 2239

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

частка акцыі: 5225

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

частка акцыі: 2278

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

частка акцыі: 2301

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

частка акцыі: 2249

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

частка акцыі: 2239

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

частка акцыі: 2267

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

частка акцыі: 10367

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

частка акцыі: 20747

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

частка акцыі: 5683

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 3300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 300mA, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў