Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

частка акцыі: 2009

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

частка акцыі: 6509

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

частка акцыі: 9525

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

частка акцыі: 7151

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 85A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

частка акцыі: 28962

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

частка акцыі: 37909

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

частка акцыі: 1555

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

частка акцыі: 7175

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

частка акцыі: 5989

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў
FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

частка акцыі: 9642

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

частка акцыі: 2856

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 20A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

частка акцыі: 1824

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

частка акцыі: 11196

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

частка акцыі: 17999

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 2A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

частка акцыі: 4212

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

частка акцыі: 7131

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

частка акцыі: 2177

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

частка акцыі: 7084

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 85A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

частка акцыі: 4392

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

частка акцыі: 5997

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

частка акцыі: 7124

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 85A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

частка акцыі: 8348

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

частка акцыі: 7130

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

частка акцыі: 2457

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

частка акцыі: 1505

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

частка акцыі: 2179

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

частка акцыі: 771

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 50A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

частка акцыі: 7134

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

частка акцыі: 7177

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

частка акцыі: 1373

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

частка акцыі: 7175

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

частка акцыі: 7099

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

частка акцыі: 7155

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 85A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

частка акцыі: 4428

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

частка акцыі: 1833

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

частка акцыі: 7670

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 85A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў