Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
S25G
GeneSiC Semiconductor

S25G

частка акцыі: 13168

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR60100R
GeneSiC Semiconductor

MBR60100R

частка акцыі: 5437

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR16K05
GeneSiC Semiconductor

FR16K05

частка акцыі: 14588

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
MBR6060
GeneSiC Semiconductor

MBR6060

частка акцыі: 5361

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH12080
GeneSiC Semiconductor

MBRH12080

частка акцыі: 2881

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S16GR
GeneSiC Semiconductor

S16GR

частка акцыі: 20582

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 16A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S380YR
GeneSiC Semiconductor

S380YR

частка акцыі: 2044

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 380A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 380A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR85KR05
GeneSiC Semiconductor

FR85KR05

частка акцыі: 7829

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
FR85G05
GeneSiC Semiconductor

FR85G05

частка акцыі: 7759

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
MURH10060R
GeneSiC Semiconductor

MURH10060R

частка акцыі: 3570

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 110ns,

Ліст з жаданняў
S70VR
GeneSiC Semiconductor

S70VR

частка акцыі: 9670

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 70A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S70DR
GeneSiC Semiconductor

S70DR

частка акцыі: 9579

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 70A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S40VR
GeneSiC Semiconductor

S40VR

частка акцыі: 9940

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURH7060
GeneSiC Semiconductor

MURH7060

частка акцыі: 45

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 110ns,

Ліст з жаданняў
MBRH20080
GeneSiC Semiconductor

MBRH20080

частка акцыі: 2594

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR7010R
GeneSiC Semiconductor

MUR7010R

частка акцыі: 7638

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
FR12B05
GeneSiC Semiconductor

FR12B05

частка акцыі: 15974

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
MUR2520R
GeneSiC Semiconductor

MUR2520R

частка акцыі: 9639

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
MBRH240150R
GeneSiC Semiconductor

MBRH240150R

частка акцыі: 120

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 240A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 240A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S40J
GeneSiC Semiconductor

S40J

частка акцыі: 12402

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH240100
GeneSiC Semiconductor

MBRH240100

частка акцыі: 46

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 240A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 240A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S300ZR
GeneSiC Semiconductor

S300ZR

частка акцыі: 2019

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 2000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S70K
GeneSiC Semiconductor

S70K

частка акцыі: 9606

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 70A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR8035
GeneSiC Semiconductor

MBR8035

частка акцыі: 5422

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR85D02
GeneSiC Semiconductor

FR85D02

частка акцыі: 7938

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
S12QR
GeneSiC Semiconductor

S12QR

частка акцыі: 12920

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S16G
GeneSiC Semiconductor

S16G

частка акцыі: 15895

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 16A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR12DR02
GeneSiC Semiconductor

FR12DR02

частка акцыі: 16885

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
FR85J05
GeneSiC Semiconductor

FR85J05

частка акцыі: 7746

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 85A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
FR30A02
GeneSiC Semiconductor

FR30A02

частка акцыі: 9637

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
GKR240/18
GeneSiC Semiconductor

GKR240/18

частка акцыі: 2375

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 165A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH12080R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12080R

частка акцыі: 2834

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURH7020R
GeneSiC Semiconductor

MURH7020R

частка акцыі: 1734

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
FR6K05
GeneSiC Semiconductor

FR6K05

частка акцыі: 12915

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
MBRH24020
GeneSiC Semiconductor

MBRH24020

частка акцыі: 50

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 240A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 240A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S6MR
GeneSiC Semiconductor

S6MR

частка акцыі: 13500

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў