Тырыстары - SCR - модулі | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 1

GA060TH65

частка акцыі: 139

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 6.5kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 104A,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GA040TH65

частка акцыі: 134

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 6.5kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 40A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 69A,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GA080TH65

частка акцыі: 91

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 6.5kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 139A,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GA080TH65-227SP

частка акцыі: 37

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 6.5kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 139A,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GA040TH65-227SP

частка акцыі: 73

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 6.5kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 40A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 69A,

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

GA060TH65-227SP

частка акцыі: 46

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 6.5kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 104A,

Ліст з жаданняў