Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
MBR6080
GeneSiC Semiconductor

MBR6080

частка акцыі: 5452

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S70BR
GeneSiC Semiconductor

S70BR

частка акцыі: 9658

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 70A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH12060R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12060R

частка акцыі: 2830

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR70BR05
GeneSiC Semiconductor

FR70BR05

частка акцыі: 9644

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
GKN130/16
GeneSiC Semiconductor

GKN130/16

частка акцыі: 3733

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 165A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR6BR02
GeneSiC Semiconductor

FR6BR02

частка акцыі: 13846

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
FR6J05
GeneSiC Semiconductor

FR6J05

частка акцыі: 12962

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
S85M
GeneSiC Semiconductor

S85M

частка акцыі: 9631

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 85A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S320QR
GeneSiC Semiconductor

S320QR

частка акцыі: 2016

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 320A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S6B
GeneSiC Semiconductor

S6B

частка акцыі: 13488

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR3545R
GeneSiC Semiconductor

MBR3545R

частка акцыі: 5662

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR6G02
GeneSiC Semiconductor

FR6G02

частка акцыі: 13616

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
FR70KR05
GeneSiC Semiconductor

FR70KR05

частка акцыі: 9595

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
MUR2560R
GeneSiC Semiconductor

MUR2560R

частка акцыі: 9573

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 90ns,

Ліст з жаданняў
FR12D05
GeneSiC Semiconductor

FR12D05

частка акцыі: 14991

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
S6GR
GeneSiC Semiconductor

S6GR

частка акцыі: 15201

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S300BR
GeneSiC Semiconductor

S300BR

частка акцыі: 2025

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR6030R
GeneSiC Semiconductor

MBR6030R

частка акцыі: 5417

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR40D02
GeneSiC Semiconductor

FR40D02

частка акцыі: 9603

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
GKR71/04
GeneSiC Semiconductor

GKR71/04

частка акцыі: 9611

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 95A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR12BR02
GeneSiC Semiconductor

FR12BR02

частка акцыі: 14043

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
S400Q
GeneSiC Semiconductor

S400Q

частка акцыі: 1955

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR6A05
GeneSiC Semiconductor

FR6A05

частка акцыі: 13962

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
FR12G05
GeneSiC Semiconductor

FR12G05

частка акцыі: 12894

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
S40V
GeneSiC Semiconductor

S40V

частка акцыі: 11010

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S25GR
GeneSiC Semiconductor

S25GR

частка акцыі: 19324

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURH7010R
GeneSiC Semiconductor

MURH7010R

частка акцыі: 59

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
FR30JR02
GeneSiC Semiconductor

FR30JR02

частка акцыі: 9663

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
S400QR
GeneSiC Semiconductor

S400QR

частка акцыі: 2027

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GKN240/16
GeneSiC Semiconductor

GKN240/16

частка акцыі: 2303

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 320A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH120150
GeneSiC Semiconductor

MBRH120150

частка акцыі: 2696

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR16J02
GeneSiC Semiconductor

FR16J02

частка акцыі: 14610

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў
FR40GR05
GeneSiC Semiconductor

FR40GR05

частка акцыі: 9630

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
MBRH12020R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12020R

частка акцыі: 2847

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH24040
GeneSiC Semiconductor

MBRH24040

частка акцыі: 40

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 240A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 240A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH20035R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20035R

частка акцыі: 2553

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў