Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
FZT689BTA
Diodes Incorporated

FZT689BTA

частка акцыі: 171946

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 20mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 400 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў
MMBT3904FZ-7B
Diodes Incorporated

MMBT3904FZ-7B

частка акцыі: 21570

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DSS3540M-7B
Diodes Incorporated

DSS3540M-7B

частка акцыі: 150797

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTN25100DFHTA
Diodes Incorporated

ZXTN25100DFHTA

частка акцыі: 101242

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
FZT690BTA
Diodes Incorporated

FZT690BTA

частка акцыі: 189182

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў
FMMTA06TA
Diodes Incorporated

FMMTA06TA

частка акцыі: 142666

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MMBT5401-7
Diodes Incorporated

MMBT5401-7

частка акцыі: 5116

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FCX790ATA
Diodes Incorporated

FCX790ATA

частка акцыі: 116205

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
FMMT494TA
Diodes Incorporated

FMMT494TA

частка акцыі: 123317

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXTN2010A
Diodes Incorporated

ZXTN2010A

частка акцыі: 118119

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
MMBTA05-7-F
Diodes Incorporated

MMBTA05-7-F

частка акцыі: 132051

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
FMMT555TA
Diodes Incorporated

FMMT555TA

частка акцыі: 125349

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MMST5401-7-F
Diodes Incorporated

MMST5401-7-F

частка акцыі: 137737

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBTA06-7-F
Diodes Incorporated

MMBTA06-7-F

частка акцыі: 130065

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
ZXTN25050DFHTA
Diodes Incorporated

ZXTN25050DFHTA

частка акцыі: 190094

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
FZT951TA
Diodes Incorporated

FZT951TA

частка акцыі: 148019

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
FZT692BTA
Diodes Incorporated

FZT692BTA

частка акцыі: 189217

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 70V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
MMBTA56-7-F
Diodes Incorporated

MMBTA56-7-F

частка акцыі: 109074

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
FMMT455TA
Diodes Incorporated

FMMT455TA

частка акцыі: 187267

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MMBT4124-7-F
Diodes Incorporated

MMBT4124-7-F

частка акцыі: 196517

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Ліст з жаданняў
FMMT497TA
Diodes Incorporated

FMMT497TA

частка акцыі: 141960

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 250mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXTN25060BFHTA
Diodes Incorporated

ZXTN25060BFHTA

частка акцыі: 182926

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 175mV @ 350mA, 3.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
FMMT614TA
Diodes Incorporated

FMMT614TA

частка акцыі: 197535

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DXT2012P5-13
Diodes Incorporated

DXT2012P5-13

частка акцыі: 133962

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
MMST4124-7-F
Diodes Incorporated

MMST4124-7-F

частка акцыі: 159022

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MMBT2222A-7-F
Diodes Incorporated

MMBT2222A-7-F

частка акцыі: 104868

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DSS4240T-7
Diodes Incorporated

DSS4240T-7

частка акцыі: 107952

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
MMBT3906LP-7
Diodes Incorporated

MMBT3906LP-7

частка акцыі: 175414

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
DNLS350Y-13
Diodes Incorporated

DNLS350Y-13

частка акцыі: 198903

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
FMMT493ATA
Diodes Incorporated

FMMT493ATA

частка акцыі: 184269

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 250mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FZT796ATA
Diodes Incorporated

FZT796ATA

частка акцыі: 163254

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZTX450
Diodes Incorporated

ZTX450

частка акцыі: 109331

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXT10P12DE6TA
Diodes Incorporated

ZXT10P12DE6TA

частка акцыі: 189704

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
MMBT3906LP-7B
Diodes Incorporated

MMBT3906LP-7B

частка акцыі: 196706

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
FZT657TA
Diodes Incorporated

FZT657TA

частка акцыі: 175634

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBT2907A-7-F
Diodes Incorporated

MMBT2907A-7-F

частка акцыі: 101027

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў