Транзістары - FET, MOSFET - масівы

Дом
Транзістары - FET, MOSFET - масівы

Diodes Incorporated

2N7002VAC-7

частка акцыі: 194320

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002DWA-7

частка акцыі: 2849

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 180mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002V-7

частка акцыі: 3285

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002DW-7

частка акцыі: 2713

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 230mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002VA-7

частка акцыі: 2624

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002VC-7

частка акцыі: 118433

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002VA-7-F

частка акцыі: 32301

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002DWQ-7-F

частка акцыі: 140472

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 230mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

2N7002DW-7-F

частка акцыі: 166409

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 230mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS8402DWQ-7

частка акцыі: 194681

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS138DWQ-7

частка акцыі: 137105

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS138DWQ-13

частка акцыі: 113029

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS138DW-7-F

частка акцыі: 105835

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS84V-7

частка акцыі: 195633

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS8402DW-7

частка акцыі: 2712

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS84DW-7

частка акцыі: 2665

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS138DW-7

частка акцыі: 2708

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS8402DW-7-F

частка акцыі: 183344

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

BSS84DW-7-F

частка акцыі: 147379

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN62D0UDW-13

частка акцыі: 155691

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 350mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN21D1UDA-7B

частка акцыі: 144

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 455mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMP6A16DN8QTA

частка акцыі: 85500

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMC3025LNS-13

частка акцыі: 159648

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2990UDJQ-7

частка акцыі: 178697

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 450mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN601VKQ-7

частка акцыі: 118878

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 305mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2008LFU-7

частка акцыі: 177281

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250A,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMC3A16DN8TA

частка акцыі: 87629

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.9A, 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMGD7N45SSD-13

частка акцыі: 105022

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 450V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4.5V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMC4047LSD-13

частка акцыі: 107463

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMNH6022SSD-13

частка акцыі: 191300

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.1A, 22.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN61D8LVT-7

частка акцыі: 191757

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2022UNS-13

частка акцыі: 159447

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN1006UCA6-7

частка акцыі: 141

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN1002UCA6-7

частка акцыі: 56

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMNH4015SSD-13

частка акцыі: 191364

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2023UCB4-7

частка акцыі: 119

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

413

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»