Транзістары - FET, MOSFET - масівы

Дом
Транзістары - FET, MOSFET - масівы

Diodes Incorporated

DMP2004DWK-7

частка акцыі: 187523

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2028UFU-7

частка акцыі: 120117

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMC4050SSD-13

частка акцыі: 151827

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.8V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMP3028LSD-13

частка акцыі: 174334

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2300UFL4-7

частка акцыі: 182197

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 300mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 950mV @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN3190LDW-13

частка акцыі: 160165

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.8V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMC3021LK4-13

частка акцыі: 125872

Тып FET: N and P-Channel, Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.4A, 6.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMD63N02XTA

частка акцыі: 98634

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2041UFDB-13

частка акцыі: 133918

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.4V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN3012LFG-7

частка акцыі: 260

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

DMNH6042SSDQ-13

Diodes Incorporated

DMNH6042SSDQ-13

частка акцыі: 171893

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMC3A17DN8TA

частка акцыі: 125228

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.1A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Ліст з жаданняў

DMC3028LSDXQ-13

Diodes Incorporated

DMC3028LSDXQ-13

частка акцыі: 198368

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A, 5.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN2016LFG-7

частка акцыі: 115776

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMG6898LSDQ-13

частка акцыі: 192348

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMHT6016LFJ-13

частка акцыі: 96906

Тып FET: 4 N-Channel, Функцыя FET: Standard, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMHN6A07T8TA

частка акцыі: 222

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN3016LDN-7

частка акцыі: 134043

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMN2AMCTA

частка акцыі: 189

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN63D1LV-7

частка акцыі: 9996

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 550mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMN3AMCTA

частка акцыі: 128489

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN4027SSD-13

частка акцыі: 149358

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMN3F31DN8TA

частка акцыі: 127158

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

DMNH6021SPDQ-13

Diodes Incorporated

DMNH6021SPDQ-13

частка акцыі: 153434

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.2A, 32A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN61D8LVT-13

частка акцыі: 146214

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8TC

частка акцыі: 135940

Тып FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 800mA, 680mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMC3A16DN8TC

частка акцыі: 118900

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.9A, 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMP2075UFDB-7

частка акцыі: 218

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.4V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMP1046UFDB-7

частка акцыі: 127126

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMC3AMCTA

частка акцыі: 166321

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMN3A06DN8TA

частка акцыі: 106246

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN32D4SDW-7

частка акцыі: 108857

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 650mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 250mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.6V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXMP3A16DN8TA

частка акцыі: 85137

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN61D8LVTQ-7

частка акцыі: 110922

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMC1016UPD-13

частка акцыі: 160062

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.5A, 8.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DMN3032LFDB-7

частка акцыі: 142454

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

413

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»