Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

Дом
Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

Diodes Incorporated

AH49EZ3-E1

частка акцыі: 8826

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±100mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 6.5V, Ток - запас (макс.): 4.5mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH8503-FDC-7

частка акцыі: 145775

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±40mT, Напружанне - харчаванне: 1.6V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 1.5mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH8501-FDC-7

частка акцыі: 145795

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±40mT, Напружанне - харчаванне: 1.6V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 1.5mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH8502-FDC-7

частка акцыі: 161816

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±43mT, Напружанне - харчаванне: 1.6V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 1.5mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH49ENTR-G1

частка акцыі: 182172

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±100mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 6.5V, Ток - запас (макс.): 4.5mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH49HZ3-G1

частка акцыі: 170714

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±300mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 8V, Ток - запас (макс.): 3.2mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH49EZ3-G1

частка акцыі: 177581

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±100mT, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 6.5V, Ток - запас (макс.): 4.5mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH49HNTR-G1

частка акцыі: 182255

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±300mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 8V, Ток - запас (макс.): 3.2mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH49FNTR-G1

частка акцыі: 182179

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±80mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 8V, Ток - запас (макс.): 4mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH49FZ3-G1

частка акцыі: 170750

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±80mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 8V, Ток - запас (макс.): 4mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

AH49FDNTR-G1

частка акцыі: 182228

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±80mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 8V, Ток - запас (макс.): 4mA,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZMX40MT8TA

частка акцыі: 6976

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZMZ20M

частка акцыі: 6166

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZMY20MTC

частка акцыі: 5779

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZMY20MTA

частка акцыі: 31565

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZMY20TA

частка акцыі: 5353

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZMZ20

частка акцыі: 4174

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZMY20TC

частка акцыі: 3384

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,

Ліст з жаданняў

18