PMIC - Драйверы брамы

Дом
PMIC - Драйверы брамы

Diodes Incorporated

DGD2103AS8-13

частка акцыі: 838

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2104AS8-13

частка акцыі: 767

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2103S8-13

частка акцыі: 9530

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2104S8-13

частка акцыі: 9543

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXGD3101T8TA

частка акцыі: 7018

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 15V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXGD3102T8TA

частка акцыі: 51073

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 15V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2136S28-13

частка акцыі: 46320

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Ліст з жаданняў

DGD21904MS14-13

Diodes Incorporated

DGD21904MS14-13

частка акцыі: 10803

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2110S16-13

частка акцыі: 67435

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2184S8-13

частка акцыі: 90446

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2108S8-13

частка акцыі: 90479

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2190S8-13

частка акцыі: 91981

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2118S8-13

частка акцыі: 75404

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD21844S14-13

частка акцыі: 68750

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD21814S14-13

частка акцыі: 55351

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2106MS8-13

частка акцыі: 10831

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD21904S14-13

частка акцыі: 70463

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2117S8-13

частка акцыі: 75366

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

Ліст з жаданняў

DGD21064MS14-13

Diodes Incorporated

DGD21064MS14-13

частка акцыі: 137

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2113S16-13

частка акцыі: 60941

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2106S8-13

частка акцыі: 72344

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD21084S14-13

частка акцыі: 60317

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2181S8-13

частка акцыі: 60280

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD2190MS8-13

частка акцыі: 10842

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXGD3006E6TA

частка акцыі: 165812

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, SiC MOSFET, Напружанне - харчаванне: 40V (Max),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD21042S8-13

частка акцыі: 141765

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXGD3001E6QTA

частка акцыі: 169546

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 12V (Max),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD05463FN-7

частка акцыі: 9932

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXGD3003E6QTA

частка акцыі: 184629

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 40V (Max),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

ZXGD3107N8TC

частка акцыі: 149499

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 40V (Max),

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD0506AM10-13

частка акцыі: 10806

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD1504S8-13

частка акцыі: 137731

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD05062FN-7

частка акцыі: 9912

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD21064S14-13

частка акцыі: 113751

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD05473FN-7

частка акцыі: 9929

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Ліст з жаданняў

Diodes Incorporated

DGD1503S8-13

частка акцыі: 174421

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Ліст з жаданняў

64

«
1
2
»