Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
ZX5T851GTA
Diodes Incorporated

ZX5T851GTA

частка акцыі: 164373

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
FCX690BTA
Diodes Incorporated

FCX690BTA

частка акцыі: 144955

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
MMBT3906-7-F
Diodes Incorporated

MMBT3906-7-F

частка акцыі: 144022

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
FMMT634QTA
Diodes Incorporated

FMMT634QTA

частка акцыі: 181595

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 900mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 960mV @ 5mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBTA28-7-F
Diodes Incorporated

MMBTA28-7-F

частка акцыі: 110879

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMBTA55-7-F
Diodes Incorporated

MMBTA55-7-F

частка акцыі: 138420

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
ZXT13P20DE6TC
Diodes Incorporated

ZXT13P20DE6TC

частка акцыі: 5173

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated

ZXTN620MATA

частка акцыі: 164419

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 25nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXT790AKTC
Diodes Incorporated

ZXT790AKTC

частка акцыі: 155407

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
MMBTA64-7
Diodes Incorporated

MMBTA64-7

частка акцыі: 5174

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ZXTP19020DFFTA
Diodes Incorporated

ZXTP19020DFFTA

частка акцыі: 109714

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTN2031FTA
Diodes Incorporated

ZXTN2031FTA

частка акцыі: 197016

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 170mV @ 250mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZTX712STOA
Diodes Incorporated

ZTX712STOA

частка акцыі: 5207

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ZXT2M322TA
Diodes Incorporated

ZXT2M322TA

частка акцыі: 5088

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 25nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў
DCP56-16-13
Diodes Incorporated

DCP56-16-13

частка акцыі: 4838

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTP25020DFHTA
Diodes Incorporated

ZXTP25020DFHTA

частка акцыі: 151504

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
MMST6427-7
Diodes Incorporated

MMST6427-7

частка акцыі: 5092

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FZT600BTA
Diodes Incorporated

FZT600BTA

частка акцыі: 160101

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FZT605TA
Diodes Incorporated

FZT605TA

частка акцыі: 140587

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў
DZTA42-13
Diodes Incorporated

DZTA42-13

частка акцыі: 108319

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXTP2008ZTA
Diodes Incorporated

ZXTP2008ZTA

частка акцыі: 180945

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Ліст з жаданняў
FZT694BTA
Diodes Incorporated

FZT694BTA

частка акцыі: 189178

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 400mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXT13P40DE6TC
Diodes Incorporated

ZXT13P40DE6TC

частка акцыі: 5179

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
FZT1048ATC
Diodes Incorporated

FZT1048ATC

частка акцыі: 5177

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 17.5V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
DP350T05-7
Diodes Incorporated

DP350T05-7

частка акцыі: 175089

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FMMTA14TA
Diodes Incorporated

FMMTA14TA

частка акцыі: 145035

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ZXTP2029FTA
Diodes Incorporated

ZXTP2029FTA

частка акцыі: 160133

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTP25040DFHTA
Diodes Incorporated

ZXTP25040DFHTA

частка акцыі: 199834

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
FMMT549TC
Diodes Incorporated

FMMT549TC

частка акцыі: 5135

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZTX758STOA
Diodes Incorporated

ZTX758STOA

частка акцыі: 5711

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MMBT2222ALP4-7B
Diodes Incorporated

MMBT2222ALP4-7B

частка акцыі: 149860

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MMST2222A-7-F
Diodes Incorporated

MMST2222A-7-F

частка акцыі: 184175

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXTN25100DGTA
Diodes Incorporated

ZXTN25100DGTA

частка акцыі: 122900

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
DP0150BLP4-7B
Diodes Incorporated

DP0150BLP4-7B

частка акцыі: 195732

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў
MMBT5401-7-F
Diodes Incorporated

MMBT5401-7-F

частка акцыі: 168689

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FMMT717TA
Diodes Incorporated

FMMT717TA

частка акцыі: 160402

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў