Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
MMBT6427-7-F
Diodes Incorporated

MMBT6427-7-F

частка акцыі: 192236

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ZXTN2011GTA
Diodes Incorporated

ZXTN2011GTA

частка акцыі: 177554

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў
DCP52-13
Diodes Incorporated

DCP52-13

частка акцыі: 159285

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў
DSM80100M-7
Diodes Incorporated

DSM80100M-7

частка акцыі: 132279

Тып транзістара: PNP + Diode (Isolated), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
MMBTA14-7-F
Diodes Incorporated

MMBTA14-7-F

частка акцыі: 157558

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ZXTN10150DZTA
Diodes Incorporated

ZXTN10150DZTA

частка акцыі: 191680

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV,

Ліст з жаданняў
DXT696BK-13
Diodes Incorporated

DXT696BK-13

частка акцыі: 149854

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 180V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FCX617TA
Diodes Incorporated

FCX617TA

частка акцыі: 149554

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

Ліст з жаданняў
MMBTA56Q-13-F
Diodes Incorporated

MMBTA56Q-13-F

частка акцыі: 130753

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
ZTX789ASTZ
Diodes Incorporated

ZTX789ASTZ

частка акцыі: 148172

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTP03200BZTA
Diodes Incorporated

ZXTP03200BZTA

частка акцыі: 177568

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў
DSS5240Y-7
Diodes Incorporated

DSS5240Y-7

частка акцыі: 172620

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 210 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
DJT4030P-13
Diodes Incorporated

DJT4030P-13

частка акцыі: 126888

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

Ліст з жаданняў
FZT1051ATC
Diodes Incorporated

FZT1051ATC

частка акцыі: 169284

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTP25140BFHTA
Diodes Incorporated

ZXTP25140BFHTA

частка акцыі: 177790

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў
FZT749TA
Diodes Incorporated

FZT749TA

частка акцыі: 161366

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZTX1051ASTZ
Diodes Incorporated

ZTX1051ASTZ

частка акцыі: 148165

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTP4003GTA
Diodes Incorporated

ZXTP4003GTA

частка акцыі: 125204

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV,

Ліст з жаданняў
FCX593TA
Diodes Incorporated

FCX593TA

частка акцыі: 196646

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 250mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ZTX658
Diodes Incorporated

ZTX658

частка акцыі: 116323

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DSM80101M-7
Diodes Incorporated

DSM80101M-7

частка акцыі: 109703

Тып транзістара: NPN + Diode (Isolated), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў
ZTX689B
Diodes Incorporated

ZTX689B

частка акцыі: 114448

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 400 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZX5T851A
Diodes Incorporated

ZX5T851A

частка акцыі: 133218

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
ZXTN19020DGTA
Diodes Incorporated

ZXTN19020DGTA

частка акцыі: 192687

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 9A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 450mA, 9A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZXTN2010GTA
Diodes Incorporated

ZXTN2010GTA

частка акцыі: 177576

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

Ліст з жаданняў
FZT591TA
Diodes Incorporated

FZT591TA

частка акцыі: 184101

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FZT696BTC
Diodes Incorporated

FZT696BTC

частка акцыі: 156896

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 180V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V,

Ліст з жаданняў
ZXTP2013GTA
Diodes Incorporated

ZXTP2013GTA

частка акцыі: 177603

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Ліст з жаданняў
ZXTP19020CFFTA
Diodes Incorporated

ZXTP19020CFFTA

частка акцыі: 133280

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 135mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
ZTX1049A
Diodes Incorporated

ZTX1049A

частка акцыі: 93955

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZTX688BSTZ
Diodes Incorporated

ZTX688BSTZ

частка акцыі: 153956

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 20mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў
DSS4320T-7
Diodes Incorporated

DSS4320T-7

частка акцыі: 154207

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 310mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
ZTX869
Diodes Incorporated

ZTX869

частка акцыі: 100360

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V,

Ліст з жаданняў
FCX495TC
Diodes Incorporated

FCX495TC

частка акцыі: 187543

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXTP2013ZTA
Diodes Incorporated

ZXTP2013ZTA

частка акцыі: 180917

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Ліст з жаданняў
ZXTP19020DGTA
Diodes Incorporated

ZXTP19020DGTA

частка акцыі: 193574

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Ліст з жаданняў