Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

FMMT617TA

частка акцыі: 145823

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

ZXTNS618MCTA

частка акцыі: 145884

Тып транзістара: NPN + Diode (Isolated), Ток - калектар (Ic) (макс.): 4.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 25nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

ZXTN4004KQTC

частка акцыі: 129092

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV,

FMMT597TA

частка акцыі: 142434

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 20mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

FZT951TC

частка акцыі: 158575

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

ZXTN649FTA

частка акцыі: 110626

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

ZXTP2014GTA

частка акцыі: 78781

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

ZTX718STZ

частка акцыі: 150947

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 2.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

ZTX851STZ

частка акцыі: 153422

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

DXT2013P5-13

частка акцыі: 139083

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

MJD32C-13

частка акцыі: 184

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

FZT955TA

частка акцыі: 147974

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

FZT491AQTA

частка акцыі: 168

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

FMMT558QTA

частка акцыі: 108179

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

FCX493TA

частка акцыі: 161649

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V,

ZX5T955GTA

частка акцыі: 164377

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

FCX591AQTA

частка акцыі: 126781

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V,

FCX705TA

частка акцыі: 133011

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

ZXTN19020DFFTA

частка акцыі: 196981

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 190mV @ 180mA, 6.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

ZXTP03200BGTA

частка акцыі: 134496

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

ZTX790ASTZ

частка акцыі: 148154

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

MMBT3904FA-7B

частка акцыі: 119670

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

DSS4240V-7

частка акцыі: 179495

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

ZXTP2012ZQTA

частка акцыі: 160817

MMSTA64-7-F

частка акцыі: 184190

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

FZT751TA

частка акцыі: 188350

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

ZUMT718TA

частка акцыі: 129249

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

FMMT593TA

частка акцыі: 114445

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

ZTX788A

частка акцыі: 111001

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

FZT1049ATA

частка акцыі: 193585

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

MMBTA63-7

частка акцыі: 170306

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

ZXT1053AKTC

частка акцыі: 132216

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 75V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

ZXTN25040DFLTA

частка акцыі: 183109

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 285mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

FZT560TC

частка акцыі: 140130

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V,

MMSTA55-7-F

частка акцыі: 151945

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

FMMT614QTA

частка акцыі: 177

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15000 @ 100mA, 5V,