Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
SDT30A100CTFP
Diodes Incorporated

SDT30A100CTFP

частка акцыі: 327

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR10150CT-E1
Diodes Incorporated

MBR10150CT-E1

частка акцыі: 145263

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30E100CT
Diodes Incorporated

SBR30E100CT

частка акцыі: 64851

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20100CT
Diodes Incorporated

SBR20100CT

частка акцыі: 72553

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR3040CT
Diodes Incorporated

SBR3040CT

частка акцыі: 68522

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2045CT-LJ
Diodes Incorporated

MBR2045CT-LJ

частка акцыі: 110956

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT30100CTFP-S
Diodes Incorporated

SDT30100CTFP-S

частка акцыі: 89554

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT40A120CTE
Diodes Incorporated

SDT40A120CTE

частка акцыі: 373

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20100CTE
Diodes Incorporated

SBR20100CTE

частка акцыі: 114473

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20A120CT
Diodes Incorporated

SBR20A120CT

частка акцыі: 40727

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT20100CT
Diodes Incorporated

SDT20100CT

частка акцыі: 95135

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MMBD4448DW-7-F
Diodes Incorporated

MMBD4448DW-7-F

частка акцыі: 179953

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR60A60CT
Diodes Incorporated

SBR60A60CT

частка акцыі: 20753

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30150CTFP
Diodes Incorporated

SBR30150CTFP

частка акцыі: 51705

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR4045CT
Diodes Incorporated

SBR4045CT

частка акцыі: 35226

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30A100CTB
Diodes Incorporated

SBR30A100CTB

частка акцыі: 52284

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR10200CDTR-G1
Diodes Incorporated

MBR10200CDTR-G1

частка акцыі: 113746

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR3060CTFP
Diodes Incorporated

SBR3060CTFP

частка акцыі: 53121

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR3045CT-E1
Diodes Incorporated

MBR3045CT-E1

частка акцыі: 108312

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR20H100CT-G1
Diodes Incorporated

MBR20H100CT-G1

частка акцыі: 104370

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 770mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30U30CT
Diodes Incorporated

SBR30U30CT

частка акцыі: 25983

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT40A120CTFP
Diodes Incorporated

SDT40A120CTFP

частка акцыі: 357

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30200CT
Diodes Incorporated

SBR30200CT

частка акцыі: 43344

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20U40CTFP
Diodes Incorporated

SBR20U40CTFP

частка акцыі: 44410

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR40U200CT
Diodes Incorporated

SBR40U200CT

частка акцыі: 18009

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 890mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT40A100CTE
Diodes Incorporated

SDT40A100CTE

частка акцыі: 321

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30A40CT
Diodes Incorporated

SBR30A40CT

частка акцыі: 35906

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT20A100CT
Diodes Incorporated

SDT20A100CT

частка акцыі: 74806

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 670mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR40100CTFP
Diodes Incorporated

SBR40100CTFP

частка акцыі: 25616

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR4040CT
Diodes Incorporated

SBR4040CT

частка акцыі: 57752

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20U40CT
Diodes Incorporated

SBR20U40CT

частка акцыі: 45962

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20100CTFP
Diodes Incorporated

SBR20100CTFP

частка акцыі: 114472

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR10150CTE
Diodes Incorporated

SBR10150CTE

частка акцыі: 74766

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT30100VCT
Diodes Incorporated

SDT30100VCT

частка акцыі: 90448

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBRT20V45CT
Diodes Incorporated

SBRT20V45CT

частка акцыі: 67246

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT30120CT
Diodes Incorporated

SDT30120CT

частка акцыі: 77121

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў