Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
SBR30100CT
Diodes Incorporated

SBR30100CT

частка акцыі: 93906

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR10U200CT
Diodes Incorporated

SBR10U200CT

частка акцыі: 45981

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR2040CTFP
Diodes Incorporated

SBR2040CTFP

частка акцыі: 69790

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDM40E20LA-7
Diodes Incorporated

SDM40E20LA-7

частка акцыі: 191925

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 310mV @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20E100CT
Diodes Incorporated

SBR20E100CT

частка акцыі: 92718

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20E120CT
Diodes Incorporated

SBR20E120CT

частка акцыі: 88284

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30100CTFP
Diodes Incorporated

SBR30100CTFP

частка акцыі: 60982

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR40U100CTE
Diodes Incorporated

SBR40U100CTE

частка акцыі: 26736

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 780mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR3045CT-LJ
Diodes Incorporated

MBR3045CT-LJ

частка акцыі: 143681

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30A45CT
Diodes Incorporated

SBR30A45CT

частка акцыі: 41672

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBRT40V100CTE
Diodes Incorporated

SBRT40V100CTE

частка акцыі: 38989

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 20A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR10U60CTFP
Diodes Incorporated

SBR10U60CTFP

частка акцыі: 84233

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT30A120CT
Diodes Incorporated

SDT30A120CT

частка акцыі: 72558

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT30100CTFP
Diodes Incorporated

SDT30100CTFP

частка акцыі: 74019

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBRT30A60CT
Diodes Incorporated

SBRT30A60CT

частка акцыі: 51234

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR40U60CT
Diodes Incorporated

SBR40U60CT

частка акцыі: 21163

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR10150CTFP
Diodes Incorporated

SBR10150CTFP

частка акцыі: 149481

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20U60CTFP
Diodes Incorporated

SBR20U60CTFP

частка акцыі: 37617

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 710mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30A100CTE
Diodes Incorporated

SBR30A100CTE

частка акцыі: 74772

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR20100CTF-E1
Diodes Incorporated

MBR20100CTF-E1

частка акцыі: 139544

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR10200CTFP
Diodes Incorporated

SBR10200CTFP

частка акцыі: 58054

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR10200CT-G1
Diodes Incorporated

MBR10200CT-G1

частка акцыі: 135056

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR10U60CT
Diodes Incorporated

SBR10U60CT

частка акцыі: 49179

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 480mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30A50CT
Diodes Incorporated

SBR30A50CT

частка акцыі: 34717

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBRT40M80CTB
Diodes Incorporated

SBRT40M80CTB

частка акцыі: 56624

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 20A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR40U45CT
Diodes Incorporated

SBR40U45CT

частка акцыі: 21679

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR10100CT-G1
Diodes Incorporated

MBR10100CT-G1

частка акцыі: 153698

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SDT20120VCT
Diodes Incorporated

SDT20120VCT

частка акцыі: 80477

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR30A60CTFP
Diodes Incorporated

SBR30A60CTFP

частка акцыі: 38638

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR2060CTFP
Diodes Incorporated

SBR2060CTFP

частка акцыі: 79325

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR40150CTFP
Diodes Incorporated

SBR40150CTFP

частка акцыі: 24256

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20B100CT
Diodes Incorporated

SBR20B100CT

частка акцыі: 118128

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR20150SCT-E1
Diodes Incorporated

MBR20150SCT-E1

частка акцыі: 127236

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBR20A120CTFP
Diodes Incorporated

SBR20A120CTFP

частка акцыі: 54726

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR30100CT-E1
Diodes Incorporated

MBR30100CT-E1

частка акцыі: 108797

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBRT30A45CT
Diodes Incorporated

SBRT30A45CT

частка акцыі: 53163

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Super Barrier, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 510mV @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў