PMIC - Драйверы брамы

MAX5048AATT-T

MAX5048AATT-T

частка акцыі: 322

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 12.6V,

Пажаданні
TSC426C/D

TSC426C/D

частка акцыі: 1565

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MAX5055BASA-T

MAX5055BASA-T

частка акцыі: 320

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
MAX5062CASA

MAX5062CASA

частка акцыі: 1262

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V,

Пажаданні
MAX4428MJA/883B

MAX4428MJA/883B

частка акцыі: 3520

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MAX5048BAUT-T

MAX5048BAUT-T

частка акцыі: 293

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 12.6V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MAX5054AATA-T

MAX5054AATA-T

частка акцыі: 309

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V,

Пажаданні
MAX5056BASA

MAX5056BASA

частка акцыі: 859

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
MAX5055BASA

MAX5055BASA

частка акцыі: 405

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
MAX5075BAUA

MAX5075BAUA

частка акцыі: 568

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 15V,

Пажаданні
MC33395TEWR2

MC33395TEWR2

частка акцыі: 3094

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5.5V ~ 24V,

Пажаданні
TC4427EPAG

TC4427EPAG

частка акцыі: 2097

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
TC4422AVOA713-VAO

TC4422AVOA713-VAO

частка акцыі: 1503

Пажаданні
MIC4478YM-TR

MIC4478YM-TR

частка акцыі: 762

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 32V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MIC4480YM-T5

MIC4480YM-T5

частка акцыі: 43608

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 32V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
TC1427EPAG

TC1427EPAG

частка акцыі: 2274

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
TC426MJA

TC426MJA

частка акцыі: 6481

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
TC427IJA

TC427IJA

частка акцыі: 9439

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
ISL6610AIBZ-T

ISL6610AIBZ-T

частка акцыі: 2374

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
ISL6605IRZA-T

ISL6605IRZA-T

частка акцыі: 2224

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2V,

Пажаданні
ISL6613BIRZ-T

ISL6613BIRZ-T

частка акцыі: 9234

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6613CBZ-TR5214

ISL6613CBZ-TR5214

частка акцыі: 9308

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6613BECBZ

ISL6613BECBZ

частка акцыі: 2317

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
IXDF502SIAT/R

IXDF502SIAT/R

частка акцыі: 2310

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
DEIC421

DEIC421

частка акцыі: 2768

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

Пажаданні
NCP5351MNR2

NCP5351MNR2

частка акцыі: 2365

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 6.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
FAN3228TMX

FAN3228TMX

частка акцыі: 2610

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
IHD260

IHD260

частка акцыі: 173

Пажаданні
LM5100BSD

LM5100BSD

частка акцыі: 2836

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2.3V, -,

Пажаданні
LM5110-3SDX

LM5110-3SDX

частка акцыі: 9302

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5106MM

LM5106MM

частка акцыі: 9087

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5109MA

LM5109MA

частка акцыі: 9769

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
IRS21281STRPBF

IRS21281STRPBF

частка акцыі: 2591

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
CHL8550CRT

CHL8550CRT

частка акцыі: 149501

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 1V,

Пажаданні
CHL8505CRT

CHL8505CRT

частка акцыі: 2787

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 1V,

Пажаданні
VLA542-01R

VLA542-01R

частка акцыі: 5275

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 14V ~ 17V,

Пажаданні