PMIC - Драйверы брамы

IRS53365DC

IRS53365DC

частка акцыі: 2928

Пажаданні
IRS26320JPBF

IRS26320JPBF

частка акцыі: 913

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 12V ~ 20V,

Пажаданні
IRS2509SPBF

IRS2509SPBF

частка акцыі: 9700

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
IRS2332STRPBF

IRS2332STRPBF

частка акцыі: 2706

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
IRS2336C

IRS2336C

частка акцыі: 891

Пажаданні
HIP4082IBZTS2366A
Пажаданні
HIP2123FRTAZ

HIP2123FRTAZ

частка акцыі: 9603

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

Пажаданні
ISL6597CRZ-T

ISL6597CRZ-T

частка акцыі: 9320

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
ISL6612BCB

ISL6612BCB

частка акцыі: 2238

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
HIP2122FRTBZ-T

HIP2122FRTBZ-T

частка акцыі: 9602

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

Пажаданні
LTC4447EDD#PBF

LTC4447EDD#PBF

частка акцыі: 2573

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 6.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2.5V, 3V,

Пажаданні
MCP1401T-E/OTVAO

MCP1401T-E/OTVAO

частка акцыі: 1412

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MIC5015BM

MIC5015BM

частка акцыі: 2063

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 2.75V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
MCP1405T-E/SNVAO

MCP1405T-E/SNVAO

частка акцыі: 9156

Пажаданні
MAX5057BASA

MAX5057BASA

частка акцыі: 534

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
MAX5054BATA-T

MAX5054BATA-T

частка акцыі: 2877

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
TSC428MJA/883B

TSC428MJA/883B

частка акцыі: 3257

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MAX5062AASA

MAX5062AASA

частка акцыі: 1309

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V,

Пажаданні
MAX5077AUD

MAX5077AUD

частка акцыі: 1210

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 15V,

Пажаданні
MAX5075AAUA-T

MAX5075AAUA-T

частка акцыі: 513

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 15V,

Пажаданні
MAX5057AASA-T

MAX5057AASA-T

частка акцыі: 344

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
SC530AULTRT

SC530AULTRT

частка акцыі: 903

Пажаданні
NCP81063MNTXG

NCP81063MNTXG

частка акцыі: 1064

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 13.2V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,

Пажаданні
NCP81072MNTXG

NCP81072MNTXG

частка акцыі: 702

Пажаданні
NCP5901BEMNTBG

NCP5901BEMNTBG

частка акцыі: 635

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 13.2V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,

Пажаданні
LM5111-2M

LM5111-2M

частка акцыі: 9886

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5100CSD

LM5100CSD

частка акцыі: 2820

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2.3V, -,

Пажаданні
IXDI414SI

IXDI414SI

частка акцыі: 2504

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

Пажаданні
IXBD4410PI

IXBD4410PI

частка акцыі: 1893

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 3.65V,

Пажаданні
IXDI409PI

IXDI409PI

частка акцыі: 2462

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

Пажаданні
UBA2032T/N2,118

UBA2032T/N2,118

частка акцыі: 9375

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.5V ~ 13.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2V, 4V; 3V, 6V,

Пажаданні
RT7020GN

RT7020GN

частка акцыі: 1706

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
RT7028BGS

RT7028BGS

частка акцыі: 1600

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
DGD2103AS8-13

DGD2103AS8-13

частка акцыі: 838

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
PM8834M

PM8834M

частка акцыі: 2923

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
EB01-6MBI225U4-120

EB01-6MBI225U4-120

частка акцыі: 1146

Пажаданні