PMIC - Драйверы брамы

BUK218-50DC,118

BUK218-50DC,118

частка акцыі: 9681

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5.5V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.2V, 3V,

Пажаданні
BD16952EFV-ME2

BD16952EFV-ME2

частка акцыі: 25865

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V,

Пажаданні
BD2270HFV-TR

BD2270HFV-TR

частка акцыі: 106120

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 5.5V,

Пажаданні
BD2270HFV-LBTR

BD2270HFV-LBTR

частка акцыі: 122178

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 5.5V,

Пажаданні
BS2100F-E2

BS2100F-E2

частка акцыі: 146958

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2.6V,

Пажаданні
BS2103F-E2

BS2103F-E2

частка акцыі: 158597

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2.6V,

Пажаданні
BS2101F-E2

BS2101F-E2

частка акцыі: 134

Пажаданні
MAX5063BASA

MAX5063BASA

частка акцыі: 65

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
MAX5063AASA-T

MAX5063AASA-T

частка акцыі: 9115

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
MAX5062CASA-T

MAX5062CASA-T

частка акцыі: 477

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V,

Пажаданні
MAX5062AASA-T

MAX5062AASA-T

частка акцыі: 338

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V,

Пажаданні
MAX5055AASA-T

MAX5055AASA-T

частка акцыі: 308

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
IXDF402SI

IXDF402SI

частка акцыі: 2317

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
IXA531L4T/R

IXA531L4T/R

частка акцыі: 2393

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
IXDE509D1

IXDE509D1

частка акцыі: 2411

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
IXDD408YI

IXDD408YI

частка акцыі: 1999

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 25V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

Пажаданні
IXDE509D1T/R

IXDE509D1T/R

частка акцыі: 2453

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
LM5101CSDX

LM5101CSDX

частка акцыі: 9875

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2.3V, -,

Пажаданні
LM5100CSD/NOPB

LM5100CSD/NOPB

частка акцыі: 2319

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2.3V, -,

Пажаданні
LM5109BSDX

LM5109BSDX

частка акцыі: 8994

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5109BSD

LM5109BSD

частка акцыі: 137

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5111-3MY

LM5111-3MY

частка акцыі: 120

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5109BMAX

LM5109BMAX

частка акцыі: 145

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5107SDX

LM5107SDX

частка акцыі: 9980

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM5104SD

LM5104SD

частка акцыі: 39

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
ISL6612IR-T

ISL6612IR-T

частка акцыі: 2298

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6612BEIB-T

ISL6612BEIB-T

частка акцыі: 2232

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
HIP2101IR4T

HIP2101IR4T

частка акцыі: 2156

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
HIP2123FRTBZ-T

HIP2123FRTBZ-T

частка акцыі: 9669

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

Пажаданні
MAQ4124YME-TRVAO

MAQ4124YME-TRVAO

частка акцыі: 266

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MCP1416T-E/MC

MCP1416T-E/MC

частка акцыі: 294

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MIC4480YME-TR

MIC4480YME-TR

частка акцыі: 69750

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 32V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
VLA500-01

VLA500-01

частка акцыі: 1733

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 14.2V ~ 15.8V,

Пажаданні
M57962CL-01

M57962CL-01

частка акцыі: 4646

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 14V ~ 15V,

Пажаданні
IR11671ASPBF

IR11671ASPBF

частка акцыі: 243

Пажаданні
FAN7171MX

FAN7171MX

частка акцыі: 2806

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні