Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXMA3E2H29I3L

5SGXMA3E2H29I3L

частка акцыі: 78

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3H3F35I3L

5SGXEA3H3F35I3L

частка акцыі: 116

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3H3F35C2L

5SGXEA3H3F35C2L

частка акцыі: 115

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGXFB7K4F40I3N

5AGXFB7K4F40I3N

частка акцыі: 100

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 704, Напружанне - харчаванне: 1.12V ~ 1.18V,

Пажаданні
5SGSMD4H3F35I4N

5SGSMD4H3F35I4N

частка акцыі: 105

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F35I3LN

5SGXMA3K3F35I3LN

частка акцыі: 116

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA4K3F40C4N

5SGXMA4K3F40C4N

частка акцыі: 83

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F35C2LN

5SGXMA3K3F35C2LN

частка акцыі: 105

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4E3H29I4N

5SGSMD4E3H29I4N

частка акцыі: 73

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3H2F35I2LN

5SGSMD3H2F35I2LN

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K3F35C2N

5SGXEA3K3F35C2N

частка акцыі: 31

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA3H2F35C2N

5SGXMA3H2F35C2N

частка акцыі: 37

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5AGZME3H3F35I4N

5AGZME3H3F35I4N

частка акцыі: 94

Колькасць LAB / CLB: 16980, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 414, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGXFB7H4F35I3N

5AGXFB7H4F35I3N

частка акцыі: 56

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 544, Напружанне - харчаванне: 1.12V ~ 1.18V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F35I3N

5SGXMA3K3F35I3N

частка акцыі: 69

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3H2F35I3N

5SGXMA3H2F35I3N

частка акцыі: 31

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3E1H29C2N

5SGXMA3E1H29C2N

частка акцыі: 82

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA3K3F35I3N

5SGXEA3K3F35I3N

частка акцыі: 52

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4E3H29C3N

5SGSMD4E3H29C3N

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3E2H29I2L

5SGSMD3E2H29I2L

частка акцыі: 115

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K2F40C3N

5SGXEA3K2F40C3N

частка акцыі: 45

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3H2F35C2LN

5SGXMA3H2F35C2LN

частка акцыі: 38

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K2F40C3N

5SGXMA3K2F40C3N

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3E2H29C1N

5SGSMD3E2H29C1N

частка акцыі: 39

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA3K3F35C2LN

5SGXEA3K3F35C2LN

частка акцыі: 72

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K3F35I3LN

5SGXEA3K3F35I3LN

частка акцыі: 73

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGZME5K3F40C4N

5AGZME5K3F40C4N

частка акцыі: 113

Колькасць LAB / CLB: 18870, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 400000, Усяго біт аператыўнай памяці: 34322432, Колькасць уводу-вываду: 674, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3H2F35I3LN

5SGXMA3H2F35I3LN

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3E1H29I2N

5SGSMD3E1H29I2N

частка акцыі: 67

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5AGZME3H2F35C3N

5AGZME3H2F35C3N

частка акцыі: 116

Колькасць LAB / CLB: 16980, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 414, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3H2F35I2N

5SGSMD3H2F35I2N

частка акцыі: 21

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA3E1H29C2LN

5SGXMA3E1H29C2LN

частка акцыі: 39

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4K3F40C4N

5SGXEA4K3F40C4N

частка акцыі: 22

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F35C2N

5SGXMA3K3F35C2N

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA3E2H29I3N

5SGXMA3E2H29I3N

частка акцыі: 82

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3H1F35C2LN

5SGSMD3H1F35C2LN

частка акцыі: 110

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні