Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXEA4H3F35I3LN

5SGXEA4H3F35I3LN

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K3F40C2LN

5SGSMD4K3F40C2LN

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K1F40C2N

5SGXEA3K1F40C2N

частка акцыі: 77

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA5K3F35I4N

5SGXEA5K3F35I4N

частка акцыі: 15

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K2F40I2N

5SGXMA3K2F40I2N

частка акцыі: 44

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA5K3F35I4N

5SGXMA5K3F35I4N

частка акцыі: 58

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7N3F40C4N

5SGXMA7N3F40C4N

частка акцыі: 86

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7H3F35C4

5SGXMA7H3F35C4

частка акцыі: 18

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4H2F35I3N

5SGSMD4H2F35I3N

частка акцыі: 23

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5K3F35C3N

5SGXEA5K3F35C3N

частка акцыі: 32

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K1F40C2LN

5SGXEA3K1F40C2LN

частка акцыі: 41

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4H3F35C2L

5SGSMD4H3F35C2L

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGZME7K2F40C3N

5AGZME7K2F40C3N

частка акцыі: 56

Колькасць LAB / CLB: 21225, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 450000, Усяго біт аператыўнай памяці: 40249344, Колькасць уводу-вываду: 674, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4H3F35I3N

5SGXEA4H3F35I3N

частка акцыі: 85

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K3F40I3LN

5SGSMD4K3F40I3LN

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5H3F35I4N

5SGXEA5H3F35I4N

частка акцыі: 104

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K2F40I3L

5SGXEA3K2F40I3L

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K2F35I2LN

5SGXEA3K2F35I2LN

частка акцыі: 112

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD5K3F40C4N

5SGSMD5K3F40C4N

частка акцыі: 110

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K2F40C2L

5SGXEA3K2F40C2L

частка акцыі: 31

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K3F40C2N

5SGSMD4K3F40C2N

частка акцыі: 23

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA7K3F40C4N

5SGXMA7K3F40C4N

частка акцыі: 97

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K3F40I3N

5SGSMD4K3F40I3N

частка акцыі: 107

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA4H3F35C2LN

5SGXMA4H3F35C2LN

частка акцыі: 83

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K2F35C1N

5SGXMA3K2F35C1N

частка акцыі: 19

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA4K2F40C3N

5SGXMA4K2F40C3N

частка акцыі: 25

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4H3F35I3L

5SGSMD4H3F35I3L

частка акцыі: 90

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7H3F35C4

5SGXEA7H3F35C4

частка акцыі: 93

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4H3F35C2N

5SGXEA4H3F35C2N

частка акцыі: 30

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5AGZME5K2F40I3LN

5AGZME5K2F40I3LN

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 18870, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 400000, Усяго біт аператыўнай памяці: 34322432, Колькасць уводу-вываду: 674, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5H3F35C3N

5SGXEA5H3F35C3N

частка акцыі: 67

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7K3F35C4N

5SGXEA7K3F35C4N

частка акцыі: 25

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA5H3F35I4N

5SGXMA5H3F35I4N

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3H1F35I2N

5SGXEA3H1F35I2N

частка акцыі: 95

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA5H3F35C3N

5SGXMA5H3F35C3N

частка акцыі: 98

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4H2F35C2N

5SGSMD4H2F35C2N

частка акцыі: 106

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні