Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXEA3K1F35I2N

5SGXEA3K1F35I2N

частка акцыі: 82

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA4K3F40C2LN

5SGXMA4K3F40C2LN

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7K3F40C4

5SGXMA7K3F40C4

частка акцыі: 70

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7K3F35C4

5SGXMA7K3F35C4

частка акцыі: 101

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4H3F35C2L

5SGXEA4H3F35C2L

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4K3F40I3LN

5SGXEA4K3F40I3LN

частка акцыі: 69

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA5N3F40I4N

5SGXMA5N3F40I4N

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4E1H29C2N

5SGSMD4E1H29C2N

частка акцыі: 82

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA4H2F35C2N

5SGXEA4H2F35C2N

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA5H2F35C3N

5SGXEA5H2F35C3N

частка акцыі: 80

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5K3F40I4N

5SGXEA5K3F40I4N

частка акцыі: 50

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K2F35C1N

5SGXEA3K2F35C1N

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA5K3F40I4N

5SGXMA5K3F40I4N

частка акцыі: 83

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA5H3F35I4

5SGXMA5H3F35I4

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMB5R3F40C4N

5SGXMB5R3F40C4N

частка акцыі: 70

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA4H2F35I3N

5SGXMA4H2F35I3N

частка акцыі: 50

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA4K3F35C2N

5SGXMA4K3F35C2N

частка акцыі: 19

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA5H2F35C3N

5SGXMA5H2F35C3N

частка акцыі: 70

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4K3F35C2N

5SGXEA4K3F35C2N

частка акцыі: 100

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA5K3F40C3N

5SGXMA5K3F40C3N

частка акцыі: 104

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA4K3F40I3N

5SGXMA4K3F40I3N

частка акцыі: 49

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4E2H29C2L

5SGSMD4E2H29C2L

частка акцыі: 91

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K2F40C2LN

5SGSMD4K2F40C2LN

частка акцыі: 38

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4H2F35I3LN

5SGXEA4H2F35I3LN

частка акцыі: 113

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA4K3F35C2LN

5SGXMA4K3F35C2LN

частка акцыі: 55

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K2F40C1N

5SGXMA3K2F40C1N

частка акцыі: 103

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5AGZME7H2F35I3LN

5AGZME7H2F35I3LN

частка акцыі: 16

Колькасць LAB / CLB: 21225, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 450000, Усяго біт аператыўнай памяці: 40249344, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4K3F35C2LN

5SGXEA4K3F35C2LN

частка акцыі: 21

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K3F40I3L

5SGSMD4K3F40I3L

частка акцыі: 76

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4E1H29C2LN

5SGSMD4E1H29C2LN

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K2F40I3N

5SGSMD4K2F40I3N

частка акцыі: 109

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA4K3F40I3LN

5SGXMA4K3F40I3LN

частка акцыі: 52

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K1F35I2N

5SGXMA3K1F35I2N

частка акцыі: 81

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA4H3F35I3L

5SGXEA4H3F35I3L

частка акцыі: 81

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4K3F35I3N

5SGXEA4K3F35I3N

частка акцыі: 20

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5962-0151801QZC

5962-0151801QZC

частка акцыі: 97

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 69, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Пажаданні