Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXMA3H1F35C2LN

5SGXMA3H1F35C2LN

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K2F40C3

5SGXEA3K2F40C3

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3E2H29I2LN

5SGXMA3E2H29I2LN

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3H2F35C2L

5SGXEA3H2F35C2L

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K3F35I3L

5SGXEA3K3F35I3L

частка акцыі: 113

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3K3F35C2L

5SGXEA3K3F35C2L

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3H1F35I2N

5SGSMD3H1F35I2N

частка акцыі: 83

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA4H3F35C3N

5SGXEA4H3F35C3N

частка акцыі: 20

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3H1F35C2LN

5SGXEA3H1F35C2LN

частка акцыі: 95

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGTFD7K3F40I5

5AGTFD7K3F40I5

частка акцыі: 59

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 704, Напружанне - харчаванне: 1.07V ~ 1.13V,

Пажаданні
5SGXEA3K2F35I3LN

5SGXEA3K2F35I3LN

частка акцыі: 114

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K2F35C2N

5SGXMA3K2F35C2N

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA3K2F35C2LN

5SGXMA3K2F35C2LN

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4K3F40C3N

5SGSMD4K3F40C3N

частка акцыі: 87

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGTFD7H3F35I3N

5AGTFD7H3F35I3N

частка акцыі: 60

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 544, Напружанне - харчаванне: 1.12V ~ 1.18V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F40C2LN

5SGXMA3K3F40C2LN

частка акцыі: 38

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGZME7H3F35C4N

5AGZME7H3F35C4N

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 21225, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 450000, Усяго біт аператыўнай памяці: 40249344, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA5H3F35C4N

5SGXMA5H3F35C4N

частка акцыі: 84

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGXFB7H4F35I3G

5AGXFB7H4F35I3G

частка акцыі: 119

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 544, Напружанне - харчаванне: 1.12V ~ 1.18V,

Пажаданні
5SGSMD4E2H29C3N

5SGSMD4E2H29C3N

частка акцыі: 34

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F40I3LN

5SGXMA3K3F40I3LN

частка акцыі: 81

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5H3F35C4N

5SGXEA5H3F35C4N

частка акцыі: 28

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3H2F35C2N

5SGXEA3H2F35C2N

частка акцыі: 52

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGSMD3E1H29C1N

5SGSMD3E1H29C1N

частка акцыі: 94

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F40I3N

5SGXMA3K3F40I3N

частка акцыі: 106

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD4H3F35C3N

5SGSMD4H3F35C3N

частка акцыі: 69

Колькасць LAB / CLB: 135840, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD3H1F35C2L

5SGSMD3H1F35C2L

частка акцыі: 50

Колькасць LAB / CLB: 89000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 236000, Усяго біт аператыўнай памяці: 16937984, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGZME5H2F35C3N

5AGZME5H2F35C3N

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 18870, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 400000, Усяго біт аператыўнай памяці: 34322432, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA3H2F35I3LN

5SGXEA3H2F35I3LN

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3K3F40C2N

5SGXMA3K3F40C2N

частка акцыі: 76

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA3H2F35C2LN

5SGXEA3H2F35C2LN

частка акцыі: 105

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGZME3E2H29I3LN

5AGZME3E2H29I3LN

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 16980, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 360000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23946240, Колькасць уводу-вываду: 342, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA3E2H29C2L

5SGXMA3E2H29C2L

частка акцыі: 42

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGTFD7K3F40I5N

5AGTFD7K3F40I5N

частка акцыі: 116

Колькасць LAB / CLB: 23780, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 504000, Усяго біт аператыўнай памяці: 27695104, Колькасць уводу-вываду: 704, Напружанне - харчаванне: 1.07V ~ 1.13V,

Пажаданні
5SGXEA3H2F35I3N

5SGXEA3H2F35I3N

частка акцыі: 89

Колькасць LAB / CLB: 128300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 340000, Усяго біт аператыўнай памяці: 23704576, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5AGZME5H3F35I4N

5AGZME5H3F35I4N

частка акцыі: 68

Колькасць LAB / CLB: 18870, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 400000, Усяго біт аператыўнай памяці: 34322432, Колькасць уводу-вываду: 534, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні