Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
SS12P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P3LHM3_A/I

частка акцыі: 190363

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S4PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PM-M3/87A

частка акцыі: 155600

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
V10P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6HM3_A/H

частка акцыі: 82

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 590mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12TQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRRHM3

частка акцыі: 70233

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-400U80D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400U80D

частка акцыі: 1172

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.62V @ 1500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V12P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P10HM3_A/I

частка акцыі: 193778

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.9A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 830mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-10WQ045FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRLHM3

частка акцыі: 62422

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8TQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRLHM3

частка акцыі: 69195

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V10P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8HM3_A/H

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V8P20-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P20-M3/87A

частка акцыі: 123684

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-19TQ015S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015S-M3

частка акцыі: 93743

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 19A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 19A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS24/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24/1

частка акцыі: 197771

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12F80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12F80

частка акцыі: 16165

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.26V @ 38A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
US1J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

US1J-M3/5AT

частка акцыі: 181290

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SA2G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2G-E3/61T

частка акцыі: 148498

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
VS-1N1189RA
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1189RA

частка акцыі: 11809

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 500V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 126A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-40HFL60S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL60S05

частка акцыі: 8997

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.95V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
VS-6FR10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR10

частка акцыі: 14081

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 19A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12FL60S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FL60S05

частка акцыі: 13745

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
VS-1N1183R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1183R

частка акцыі: 15921

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 110A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-150UR60D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-150UR60D

частка акцыі: 2128

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.47V @ 600A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
US1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

US1D-E3/5AT

частка акцыі: 148950

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
VS-12TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRL-M3

частка акцыі: 90962

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-45LR10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-45LR10

частка акцыі: 2224

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 471A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS1P4LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4LHE3/84A

частка акцыі: 112187

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 480mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SA2M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2M-E3/61T

частка акцыі: 170801

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
VS-41HFR40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-41HFR40M

частка акцыі: 4211

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-85HFR100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR100

частка акцыі: 6208

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 267A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S1J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1J-M3/5AT

частка акцыі: 184482

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.8µs,

Ліст з жаданняў
GL41M/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41M/54

частка акцыі: 146994

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-70HFR60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR60M

частка акцыі: 4388

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 220A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-45L60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-45L60

частка акцыі: 2118

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 471A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS2FL4-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2FL4-M3/I

частка акцыі: 125741

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
CSA2K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CSA2K-E3/H

частка акцыі: 118

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.1µs,

Ліст з жаданняў
VS-88HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-88HF40

частка акцыі: 8237

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 85A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 267A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-42HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42HF120

частка акцыі: 11471

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў