Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
V15P8HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/I

частка акцыі: 139

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRRHM3

частка акцыі: 99918

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-1N2128A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N2128A

частка акцыі: 8961

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 188A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V8P8HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/I

частка акцыі: 172

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8TQ100STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRR-M3

частка акцыі: 88410

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRD320TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD320TRR-M3

частка акцыі: 166629

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB1645-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645-M3

частка акцыі: 94757

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-18TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045STRL-M3

частка акцыі: 74716

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V10P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P10HM3_A/H

частка акцыі: 150252

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRD340TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340TRR-M3

частка акцыі: 154683

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FN-M3

частка акцыі: 162468

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTR-M3

частка акцыі: 163761

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V10P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P15-M3/I

частка акцыі: 106

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.08V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8TQ080SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ080SHM3

частка акцыі: 83987

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-18TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ035S-M3

частка акцыі: 94890

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-10TQ045SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045SHM3

частка акцыі: 82226

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ04FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRRHM3

частка акцыі: 101766

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6ESH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH02HM3/87A

частка акцыі: 115072

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 940mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 22ns,

Ліст з жаданняў
VS-20TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ035STRR-M3

частка акцыі: 77119

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS12P4S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4S-M3/87A

частка акцыі: 171159

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS10P3-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3-M3/87A

частка акцыі: 179117

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB745TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB745TRR-M3

частка акцыі: 108248

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRR-M3

частка акцыі: 187008

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS10P5-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P5-M3/87A

частка акцыі: 124094

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 7A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-STPS40L15CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS40L15CW-N3

частка акцыі: 10647

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V12PM12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM12-M3/87A

частка акцыі: 104046

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V10P15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P15HM3/I

частка акцыі: 148

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.08V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-20TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ045STRL-M3

частка акцыі: 76442

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-20TQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ035STRL-M3

частка акцыі: 76344

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040STRR-M3

частка акцыі: 108254

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS5P5HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P5HM3_A/H

частка акцыі: 196929

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 690mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS3P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3L-M3/87A

частка акцыі: 178007

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8TQ100STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRRHM3

частка акцыі: 68591

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V15P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P15-M3/H

частка акцыі: 165

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.08V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB1035TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1035TRR-M3

частка акцыі: 100226

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V15P10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P10HM3/H

частка акцыі: 112

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 710mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў