Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
VS-50WQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRRHM3

частка акцыі: 84456

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 770mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035S-M3

частка акцыі: 137173

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P10HM3_A/I

частка акцыі: 165407

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS3P4HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HE3/85A

частка акцыі: 147714

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V25PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V25PL60-M3/87A

частка акцыі: 175827

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8TQ100STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRL-M3

частка акцыі: 89223

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/86A

частка акцыі: 155152

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2L-M3/87A

частка акцыі: 190434

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FN-M3

частка акцыі: 160826

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V15P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8-M3/87A

частка акцыі: 174345

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V8PM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10-M3/H

частка акцыі: 163

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-18TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045STRR-M3

частка акцыі: 74294

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-50WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTR-M3

частка акцыі: 149737

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRR-M3

частка акцыі: 89952

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S5PMS-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/86A

частка акцыі: 103193

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 940mV @ 2.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRL-M3

частка акцыі: 90505

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V10PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/I

частка акцыі: 136

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-4ESH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02HM3/87A

частка акцыі: 162247

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў
VS-MBRB1045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045-M3

частка акцыі: 127819

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB1045TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045TRL-M3

частка акцыі: 41979

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRR-M3

частка акцыі: 150468

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/H

частка акцыі: 184643

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-50WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRR-M3

частка акцыі: 193615

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30WQ06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRL-M3

частка акцыі: 194467

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJHM3_A/I

частка акцыі: 196085

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
SS3P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/H

частка акцыі: 153102

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-50WQ03FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRLHM3

частка акцыі: 163940

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-50WQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRHM3

частка акцыі: 84444

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 770mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S5PMS-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/87A

частка акцыі: 117706

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
SS3P4LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4LHM3_A/I

частка акцыі: 197445

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-100BGQ015HF4
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ015HF4

частка акцыі: 15969

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V15P45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45HM3_A/H

частка акцыі: 125

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB1645TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRR-M3

частка акцыі: 73811

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GP10D-4003HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10D-4003HE3/54

частка акцыі: 133983

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/54

частка акцыі: 164121

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8TQ100SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100SHM3

частка акцыі: 83725

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў