Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
125NQ015R
Vishay Semiconductor Diodes Division

125NQ015R

частка акцыі: 10066

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 390mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
125NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

125NQ015

частка акцыі: 10023

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 390mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
123NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100

частка акцыі: 10053

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
122NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030

частка акцыі: 10007

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10MQ100NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100NTR

частка акцыі: 9999

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 780mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060NTR

частка акцыі: 10046

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 710mV @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10MQ100N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100N

частка акцыі: 10040

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 780mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060N

частка акцыі: 10029

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 710mV @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ040N

частка акцыі: 10065

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08S

частка акцыі: 10028

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06S

частка акцыі: 10065

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
10ETS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08

частка акцыі: 9998

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06

частка акцыі: 10064

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
10BQ100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100TR

частка акцыі: 10063

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 780mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02S

частка акцыі: 10053

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
10BQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ040

частка акцыі: 9982

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10BQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015

частка акцыі: 9993

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 350mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10BQ015TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015TR

частка акцыі: 10010

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 350mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5822/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822/54

частка акцыі: 4999

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 525mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5407-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/54

частка акцыі: 149424

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5818/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5818/54

частка акцыі: 10003

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5402-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/54

частка акцыі: 121104

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5405-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5405-E3/54

частка акцыі: 102195

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 500V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5402/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402/54

частка акцыі: 9941

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2059
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N2059

частка акцыі: 9980

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 250A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3291RA
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3291RA

частка акцыі: 9917

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
19TQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015

частка акцыі: 4997

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 19A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 19A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4004/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004/54

частка акцыі: 9921

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4006/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006/54

частка акцыі: 9952

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4001/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001/54

частка акцыі: 9956

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4002/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002/54

частка акцыі: 9955

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10BQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100

частка акцыі: 9888

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 780mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4007/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007/54

частка акцыі: 9893

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4005/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005/54

частка акцыі: 9964

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N6481-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481-E3/96

частка акцыі: 185547

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N6484-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484-E3/96

частка акцыі: 187847

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў