Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

частка акцыі: 95

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

частка акцыі: 137

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

частка акцыі: 137

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

частка акцыі: 5037

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

частка акцыі: 91

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

частка акцыі: 5020

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

частка акцыі: 69

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

частка акцыі: 5051

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

частка акцыі: 135

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

частка акцыі: 74

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

частка акцыі: 120

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
120NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ040

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
120NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045

частка акцыі: 107

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
120NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ035

частка акцыі: 154

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
18TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035S

частка акцыі: 144

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
12TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035S

частка акцыі: 151

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
12TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045S

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035S

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045S

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150KS5
Vishay Semiconductor Diodes Division

150KS5

частка акцыі: 62

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 471A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150L40A
Vishay Semiconductor Diodes Division

150L40A

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 471A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12S

частка акцыі: 97

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12FP

частка акцыі: 108

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08FP

частка акцыі: 36

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Ліст з жаданняў
10ETS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10

частка акцыі: 5083

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Ліст з жаданняў
19TQ015STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRL

частка акцыі: 5042

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 19A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 19A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
19TQ015S
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015S

частка акцыі: 10049

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 19A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 19A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
18TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045S

частка акцыі: 5024

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
185NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

185NQ015

частка акцыі: 10038

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 400mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
18TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035

частка акцыі: 10053

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
183NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100

частка акцыі: 5013

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
15MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division

15MQ040N

частка акцыі: 10028

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў